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张晏铭

作品数:20 被引量:23H指数:2
供职机构:重庆大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金重庆市杰出青年科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇IGBT
  • 4篇导通
  • 4篇散热
  • 4篇散热器
  • 4篇驱动电路
  • 4篇热网络
  • 4篇集电极
  • 4篇集电极电流
  • 3篇结温
  • 3篇工位
  • 2篇导通压降
  • 2篇电参数
  • 2篇电流波形
  • 2篇电路
  • 2篇电源
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇特征量
  • 2篇全响应
  • 2篇主板

机构

  • 20篇重庆大学

作者

  • 20篇张晏铭
  • 17篇杜雄
  • 17篇周雒维
  • 16篇孙鹏菊
  • 10篇蔡杰
  • 10篇王凯宏
  • 6篇龚灿
  • 5篇吴宇
  • 3篇王博
  • 2篇陈登福
  • 2篇龙木军

传媒

  • 1篇电工技术学报
  • 1篇中国电机工程...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 8篇2016
  • 2篇2015
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于数值算法的IGBT散热器优化设计
以 IGBT 可靠性寿命预测研究为背景,本文针对IGBT 模块的外部热管理提出了一种考虑实时结温反馈的散热器优化设计的数值算法,并将该方法应用于功率循环老化系统,优化了功率循环效率。通过建立老化系统热网络模型,将每个功率...
张晏铭刘洪纪吴宇龚灿周雒维杜雄孙鹏菊
关键词:全响应散热器IGBT
基于广义端口特性的IGBT功率模块可靠性综合测试方法研究
功率变换器可靠性和寿命预测已逐步成为近年来研究的热点,其中绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor-IGBT)因其多层封装结构,在常规运行中长期承受热机应力冲击极易出现封装失...
张晏铭
关键词:绝缘栅双极型晶体管功率变换器
文献传递
IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法及装置
本发明提供的IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法,包括对IGBT加热,测量小电流密度下FWD导通压降;对FWD加热,测量小电流密度下IGBT的饱和压降,根据测量小电流密度下FWD导通压降和IGBT的饱和压降,间接获取I...
周雒维张晏铭蔡杰彭英舟王凯宏孙鹏菊杜雄
文献传递
IGBT快速功率循环老化试验装置的设计
IGBT功率器件是变流装置中可靠性最低的部件,为提高变流装置的可靠性及实现在线状态监测,须探究IGBT器件的失效机理并发现不同失效机理下的器件预兆特征参量.实验室一般对IGBT器件施加加速老化试验,以便能在较短时间内获知...
刘洪纪张晏铭吴宇龚灿杨友耕杜雄孙鹏菊周雒维
关键词:可靠性
一种大方坯连铸轻压下和重压下在线协同控制方法
本发明提供了一种大方坯连铸轻压下和重压下在线协同控制方法。根据连铸坯三维凝固传热离线模型及热‑力耦合下连铸坯三维压下模型,准确确定了极限压下量与压下位置的定量关系;采用连铸坯三维凝固传热在线计算模型实时计算铸坯热状态、轻...
龙木军艾松元陈登福周永智张晏铭杜一哲
IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法及装置
本发明提供的IGBT耦合热阻抗的离散化方波提取方法,包括对IGBT加热,测量小电流密度下FWD导通压降;对FWD加热,测量小电流密度下IGBT的饱和压降,根据测量小电流密度下FWD导通压降和IGBT的饱和压降,间接获取I...
周雒维张晏铭蔡杰彭英舟王凯宏孙鹏菊杜雄
文献传递
多IGBT模块综合老化特征量测量装置
本发明提供的多IGBT模块多老化特征量提取装置,包括待测IGBT模块、老化特征量测量主板和驱动电路,所述驱动电路设置于老化特征量测量主板,所述待测IGBT模块为多个,多个待测IGBT模块并联设置在老化特征量测量主板的测量...
周雒维彭英舟张晏铭蔡杰王凯宏孙鹏菊杜雄
文献传递
基于数值迭代的功率器件散热器动态响应性能优化方法
本发明提供的基于数值迭代的功率器件散热器动态响应性能优化方法,包括a.建立综合福斯特热网络模型,b.根据福斯特热网络模型的全响应和零输入响应,获取功率循环温度曲线;c.通过功率循环温度曲线,建立散热器数值化模型,并获取实...
周雒维张晏铭刘洪纪吴宇龚灿杨友耕王博孙鹏菊杜雄
文献传递
用于IGBT结温估计的驱动装置及方法
本发明提供的用于IGBT结温估计的驱动装置及方法,装置包括待测IGBT模块、用于通过改变门极开通电流并从门极开通电压中提取温度感应电参数的恒流源驱动模块和用于在恒流源驱动下对IGBT结温进行估计的门极开通密勒平台;所述恒...
周雒维彭英舟张晏铭蔡杰王凯宏孙鹏菊杜雄
IGBT老化状态监测方法及装置
本发明提供的IGBT老化状态监测方法及装置,其方法包括:通过测量电路中的稳压芯片输出正常电压,当稳压芯片控制信号为高电平时,测量电路输出驱动电压使待测IGBT导通;将稳压芯片控制信号置为低电平,使稳压芯片输出电压为零,当...
周雒维彭英舟张晏铭蔡杰王凯宏孙鹏菊杜雄
文献传递
共2页<12>
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