您的位置： 专家智库 > >

胡小艳

作品数：7 被引量：8H指数：2
供职机构：盐城师范学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇渗析
  • 3篇渗析器
  • 3篇扩散渗析
  • 2篇圆柱
  • 2篇粘合
  • 2篇条卷
  • 2篇纳米管
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性质
  • 2篇ZNS
  • 1篇修饰
  • 1篇氧化钛
  • 1篇双层膜
  • 1篇碳纳米材料
  • 1篇平板
  • 1篇量子

机构

  • 7篇盐城师范学院

作者

  • 7篇胡小艳
  • 3篇吴永会
  • 2篇陈红霞
  • 1篇谢建明
  • 1篇庄国策
  • 1篇刘成林
  • 1篇刘卫卫

传媒

  • 2篇计算物理
  • 1篇华中师范大学...
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种碳纳米材料-PVA双管道膜的制备方法及其应用
本发明公开了一种碳纳米材料‑PVA双管道膜的制备方法。首先将碳纳米材料与PVA共混，形成涂膜液，涂覆在玻璃板上干燥后形成平板膜片，然后剪裁成宽尺寸的矩形膜和窄尺寸的矩形条，取两张宽尺寸矩形膜叠合到一起，涂水使一端粘合，再...
胡小艳吴军吴永会
基于NH4F为形态控制剂控制ZnFOH纳米柱和纳米带的生长
2020年
采用水热法制备了纳米ZnFOH结构阵列,包括纳米柱阵列和纳米带阵列.研究了ZnFOH在不同条件下的沉积方式.在低酸碱度pH=6.0时,在ZnO晶种基底上形成菱形纳米柱阵列,这源于正交晶体固有的结晶习性.在较高的酸碱度pH=8.0时,由于Zn^2+优先吸附在原子核的(010)表面上,在Zn^2+基底上形成ZnFOH纳米带阵列.NH4F作为控制剂调节ZnF^+的过饱和,这有助于基底上的非均相成核.
花胜权胡小艳汪恒
一种通过水粘合制备超长管式膜的制备方法及应用
本发明公开了一种通过水粘合制备超长管式膜的方法，并将超长管式膜安装在3D打印渗析池中进行扩散渗析分离含酸或含碱料液，具体是先制备涂膜液，涂覆挥发干后形成平板薄片，再剪裁成短尺寸和长尺寸的多根矩形条，将长尺寸矩形条卷在圆柱...
吴永会吴军胡小艳叶宏成
Mn/C共掺杂ZnS纳米管磁性质研究(英文)被引量：3
2017年
采用第一性原理密度泛函理论系统地研究Mn原子单掺杂和双掺杂ZnS纳米管的结构、电子性质和磁性质.掺杂纳米管的形成能比纯纳米管形成能更低,表明掺杂是个放热过程.掺杂纳米管的能隙远小于纯纳米管能隙.计算结果表明Mn掺杂纳米管趋于反铁磁态.为了获得室温铁磁性,用一个C原子替代一个S原子.发现铁磁态能量比反铁磁态能量低0.454 e V.如此大的能量差表明这类材料中有可能获得室温铁磁性.
陈红霞胡小艳庄国策
关键词：共掺杂纳米管磁性质密度泛函理论
Cr掺杂ZnS纳米管结构和磁性质（英文）被引量：5
2016年
采用第一性原理密度泛函理论系统研究Cr原子单掺杂和双掺杂单壁Zn S纳米管的结构和磁性质.研究发现掺杂纳米管的形成能比纯纳米管的形成能低,说明掺杂过程是放热的.单掺杂纳米管的总磁矩主要来自Cr原子3d态的贡献.结果表明Cr原子掺杂单壁Zn S纳米管趋向于铁磁态.但铁磁态和反铁磁态的能量差仅为0.036 e V.为获得室温铁磁性,我们用一个C原子替代掺杂体系中的一个S原子.计算发现铁磁态的能量比反铁磁态低0.497e V.表明此掺杂体系可能获得室温铁磁性.
陈红霞谢建明刘成林胡小艳
关键词：纳米管磁性质共掺杂
一种通过水粘合制备超长管式膜的制备方法及应用
本发明公开了一种通过水粘合制备超长管式膜的方法，并将超长管式膜安装在3D打印渗析池中进行扩散渗析分离含酸或含碱料液，具体是先制备涂膜液，涂覆挥发干后形成平板薄片，再剪裁成短尺寸和长尺寸的多根矩形条，将长尺寸矩形条卷在圆柱...
吴永会吴军胡小艳叶宏成
基于TiO_(2)修饰层的量子点发光二极管设计及其性能
2022年
量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一。由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题。本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO_(2))薄层,对ZnO和QDs发光层之间的界面进行修饰。发现插入0.270 nm的TiO_(2)后,器件的漏电流降低约一个量级,激子的平均寿命从15.94 ns增加到16.61 ns,说明插入TiO_(2)修饰层可以有效降低QDs发光层中激子猝灭,从而提高器件在低驱动电压下的电流效率(约提高15%)。上述结果有望为QLEDs在照明和显示领域的产业化提供参考。
刘卫卫孔佑超陈小波胡小艳苗中正
关键词：量子点发光二极管二氧化钛
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0