刘泽华
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 一种SiC/MCMBs复合材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种SiC/MCMBs复合材料及其制备方法和应用，所述SiC/MCMBs复合材料包括SiC基体、以及分布在碳化硅基体中的中间相碳微球，所述中间相碳微球的含量为15～30wt%。
- 黄政仁王晓洁姚秀敏刘学建刘泽华陈军军
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- 一种激光照明用高导热Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/YAG:Ce复相荧光陶瓷及其制备方法
- 本发明涉及一种激光照明用高导热Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/YAG:Ce复相荧光陶瓷及其制备方法，所述复相荧光陶瓷包括Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>陶瓷基底、和弥散分布在...
- 黄政仁刘泽华刘学建姚秀敏王晓洁黄毅华吴西士蔡平
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- 一种反应烧结C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料和同步反应连接的方法
- 本发明涉及一种反应烧结C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料和同步反应连接的方法，包括：将碳的前驱体浆料涂覆在至少两个C<Sub>f</Sub>/C多孔前驱体待连接件的连接面之间、经固化形成多孔碳基连接层，得到预连接...
- 黄政仁吴西士朱云洲殷杰姚秀敏刘泽华陈健刘岩
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- 一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法
- 本发明涉及一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法，包括：在反应容器中先加入浓氢氟酸，再缓慢加入浓硝酸，搅拌均匀后密封静置10‑30分钟，得腐蚀液；将碳化硅试样浸没在所得腐蚀溶液中，在150‑200℃下腐蚀12‑24小时。本方法在低温下...
- 黄政仁刘泽华闫永杰张辉姚秀敏刘学建蔡平赵静
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- 一种Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>陶瓷粉体的制备方法
- 本发明涉及一种Nb<Sub>4</Sub>AlC<Sub>3</Sub>陶瓷粉体的制备方法，包括：将铌粉、铝粉和碳粉混合，得到混合粉体；将所得混合粉体置于保护气氛中，在1400～1750℃下无压煅烧1～720分钟，再经粉...
- 黄政仁蔡平刘学建姚秀敏杨丽慧王鲁杰吴西士刘泽华
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- 残余相和烧结温度对碳化硅陶瓷抗混酸腐蚀特性的影响（英文）被引量：4
- 2016年
- 本工作主要研究了残余相和晶粒尺寸对碳化硅的抗混酸(HF-HNO_3)腐蚀特性。通过不同的烧结方法(固相烧结、液相烧结、反应烧结)制备出残余相不同的碳化硅材料。结果表明:与液相烧结碳化硅(LPS SiC)和反应烧结碳化硅(RB SiC)相比,固相烧结碳化硅(SSiC)具有更好的腐蚀抗性,这是由于残余相石墨的抗腐蚀性强,以及残余相在材料中形成不能相互联通的岛状结构。通过调节碳化硅的烧结温度,可以影响材料中的晶粒尺寸,研究结果发现相同烧结温度下随着残余相含量的增加,材料腐蚀失重线性增加,对曲线进行线性拟合,其Y轴截距的绝对值代表不含碳的试样在该烧结温度下的腐蚀失重。研究表明随着烧结温度由2100℃升高到2160℃,晶粒尺寸由2μm增加到6μm。此时其Y轴截距的绝对值分别为9.22(2100℃),5.81(2130℃),0.29(2160℃),表明晶粒尺寸的增加有利于提高材料的抗腐蚀能力。
- 刘泽华齐倩闫永杰张辉刘学建罗宏杰黄政仁
- 关键词：碳化硅抗腐蚀晶粒尺寸
- 一种SiC/MCMBs复合材料及其制备方法和应用
- 本发明涉及一种SiC/MCMBs复合材料及其制备方法和应用，所述SiC/MCMBs复合材料包括SiC基体、以及分布在碳化硅基体中的中间相碳微球，所述中间相碳微球的含量为15～30wt%。
- 黄政仁王晓洁姚秀敏刘学建刘泽华陈军军
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