齐赵毅
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
- 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
- 胡晓龙王洪齐赵毅黄华茂
- 文献传递
- 一种高光萃取效率的近紫外LED芯片
- 本实用新型公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成，金属基...
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- 基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化被引量：3
- 2016年
- 利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3%和24.7%,比优化前各提高了37.9%和280%。因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用。
- 胡晓龙齐赵毅黄华茂王洪
- 关键词：发光二极管光子晶体
- 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法
- 本发明提供基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法。本发明采用湿法腐蚀剥离蓝宝石衬底的方法可以用于制备垂直结构LED。通过切割氮化镓外延层、热酸清洗，释放氮化镓应力；电镀无应力的镍基板，抛光金属基板；制备倾斜氮...
- 胡晓龙王洪蔡镇准齐赵毅
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- 一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
- 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
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- GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究被引量：4
- 2017年
- 利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高了56%和97%。尽管两种表面结构都能有效提高器件的光萃取效率,然而采用光子晶体的方案对p-Ga N厚度和腔长要求极为苛刻。采用六棱锥结构则不仅可以获得更高的光萃取效率,并且还将大大降低实验上材料外延生长及器件制备的难度。
- 齐赵毅胡晓龙王洪
- 关键词：FDTD光子晶体
- 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法
- 本发明提供基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED及制备方法。本发明采用湿法腐蚀剥离蓝宝石衬底的方法可以用于制备垂直结构LED。通过切割氮化镓外延层、热酸清洗，释放氮化镓应力；电镀无应力的镍基板，抛光金属基板；制备倾斜氮...
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- 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片
- 本实用新型提供基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物LED芯片。本实用新型采用湿法腐蚀剥离蓝宝石衬底的方法可以用于制备垂直结构LED。通过切割氮化镓外延层、热酸清洗，释放氮化镓应力；电镀无应力的镍基板，抛光金属基板；制备倾斜...
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- 表面二维光子晶体氮化物LED芯片制备
- 光子晶体结构的引入被认为是有效提高GaN基LED芯片出光效率的重要方法,是目前的研究前沿技术和热点。因此,研究表面光子晶体结构对LED芯片出光效率的影响机理,并制备出高出光效率的表面光子晶体结构LED芯片,具有重要的应用...
- 齐赵毅
- 关键词：LED出光效率光子晶体纳米压印FDTD
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