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王维燕

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院大学更多>>
发文基金：安徽省教育厅项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇束流
  • 1篇结构特性
  • 1篇结构性能
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇A-SI:H...
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 1篇合肥学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇合肥乐凯科技...

作者

  • 1篇丁明
  • 1篇黄俊俊
  • 1篇高敏
  • 1篇刘琦
  • 1篇王维燕
  • 1篇李梦雨

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响被引量：1
2016年
利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:H薄膜结构特性;当离子源束流为5 mA时,薄膜的结构特性最优,a-Si:H薄膜在0.8 eV处的吸收系数、氢含量、微结构因子和光学带隙分别是0.7 cm^(-1)、10.2%(原子比)、0.47和2.02 eV。表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜满足器件要求。
黄俊俊王辉丁明周守发李梦雨刘琦高敏王维燕
关键词：非晶硅薄膜结构性能束流
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