您的位置： 专家智库 > >

李起

作品数：19 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 12篇溅射
  • 8篇反应溅射
  • 7篇声表面波
  • 6篇氮化铝
  • 6篇氮化铝薄膜
  • 6篇声表面波器件
  • 6篇C轴
  • 6篇C轴取向
  • 4篇正温度系数
  • 4篇温度系数
  • 4篇铝靶
  • 4篇晶格
  • 4篇晶格失配
  • 4篇机电耦合系数
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇电阻
  • 3篇原子
  • 3篇工作气体
  • 3篇衬底

机构

  • 19篇清华大学

作者

  • 19篇李起
  • 16篇曾飞
  • 16篇潘峰
  • 6篇王光月
  • 4篇高双
  • 2篇崔彬
  • 2篇宋成
  • 2篇彭晶晶

年份

  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2005
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。所述高c轴取向AlN薄膜的制备方法包括如下步骤：将石墨烯旋涂于衬底上得到石墨烯覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述石墨烯覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应...
曾飞傅肃磊潘峰李起王敏涓
文献传递
高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。本发明提供的高c轴取向AlN薄膜制备方法包括如下步骤：将二硫化钼旋涂于柔性衬底上得到二硫化钼覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述二硫化钼覆盖的衬底上进行沉积得到所述Al...
曾飞李起潘峰傅肃磊
文献传递
一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法
本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO<Sub>2</Sub>薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法，在衬底上溅射所述掺杂...
曾飞傅肃磊李起潘峰王光月
文献传递
高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应...
曾飞傅肃磊李起潘峰彭晶晶
文献传递
在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法
本发明涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：依次用化学试剂和等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。该方...
李起曾飞潘峰高双
文献传递
一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法
本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中...
曾飞李起潘峰傅肃磊王光月
在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法
本发明涉及一种在单个磁阻器件实现所有16种二元布尔逻辑运算的方法，其特征在于，包括以下内容：1)定义对磁阻器件所施加磁场的大小和方向，使得磁阻器件满足双驼峰形磁阻特性，并定义磁阻器件的低电阻态激发磁场强度绝对值为H<Su...
曾飞高双潘峰宋成崔彬李起
文献传递
在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法
本发明涉及一种在柔性衬底上沉积高c轴取向氮化铝薄膜的方法，包括以下步骤：依次用化学试剂和等离子体对柔性衬底进行清洗，并将清洗后的柔性衬底置于磁控溅射镀膜机的基片台上，抽真空，充入工作气体，反应溅射制备得到氮化铝薄膜。该方...
李起曾飞潘峰高双
文献传递
Growth and Characterization of Polyimide-Supported AlN Films for Flexible Surface Acoustic Wave Devices
Highly c-axis oriented aluminum nitride(AlN) films, which can be used in flexible surface acoustic wave(SAW) d...
李起
文献传递
一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用。所述高c轴取向AlN薄膜的制备方法包括如下步骤：将石墨烯旋涂于衬底上得到石墨烯覆盖的衬底；利用反应溅射，在所述石墨烯覆盖的衬底上进行沉积得到所述AlN薄膜；所述反应...
曾飞傅肃磊潘峰李起王敏涓
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0