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刘宇

作品数：54 被引量：6H指数：1
供职机构：北京航天控制仪器研究所更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 50篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 5篇机械工程
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 23篇键合
  • 17篇加速度
  • 17篇加速度计
  • 17篇封装
  • 13篇刻蚀
  • 12篇晶圆
  • 11篇圆片
  • 10篇芯片
  • 8篇三明治
  • 7篇圆片级
  • 7篇MEMS加速...
  • 6篇电极
  • 6篇圆片级封装
  • 6篇全硅
  • 6篇刻蚀技术
  • 5篇应力
  • 5篇直接键合
  • 5篇湿法腐蚀
  • 5篇共晶键合
  • 4篇电容式

机构

  • 54篇北京航天控制...
  • 2篇浙江大学
  • 1篇中国航天科技...

作者

  • 54篇刘宇
  • 51篇刘福民
  • 34篇梁德春
  • 27篇刘国文
  • 15篇徐宇新
  • 10篇邢朝洋
  • 5篇庄海涵
  • 4篇王学锋
  • 4篇徐杰
  • 3篇胡启方
  • 1篇金仲和

传媒

  • 2篇中国惯性技术...
  • 2篇传感器与微系...

年份

  • 5篇2024
  • 8篇2023
  • 10篇2022
  • 10篇2021
  • 9篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 54 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件
本发明涉及一种MEMS器件的全硅化圆片级真空封装方法及封装器件。采用平面电极引出方案，仅采用单个密封金属环即实现了器件的真空密封。采用平面电极的电信号引出方式有效的避免了全硅圆片封装工艺中常见的引入较大寄生电容的问题。本...
邢朝洋胡启方刘福民刘国文徐宇新刘宇
一种用于SOG‑MEMS芯片单元分离的方法
本发明公开了一种用于SOG‑MEMS芯片单元分离的方法，采用背面划切的方案，可动结构不需要进行涂胶保护，避免碎屑的引入，提高成品率；在芯片分离过程中不需要制备复杂的工装，划切后采用圆球在芯片背面滚动按压即可完成，操作过程...
梁德春刘福民庄海涵邢朝洋刘宇凌希信
一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺
本发明提供了一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺，用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔，包括在硅结构晶圆一侧制作光刻胶和第一铝或钛金属膜，加工后分别作为硅通孔和硅槽的刻蚀工艺图形掩模，同时在硅结构晶圆另一侧淀积第二铝...
张乐民刘福民张树伟崔尉梁德春杨静刘宇
一种阵列式扭摆加速度计
一种阵列式扭摆加速度计，包含由4个或6个或8个敏感质量单元组成的阵列式敏感结构，其中，每两个相邻的敏感质量单元排布方向相反；每两个相间的敏感质量单元排布方向相同，且通过连接横梁形成刚性连接，连接横梁两端布置有应力释放结构...
刘国文马智康李兆涵刘宇赵亭杰刘福民张天祺
文献传递
一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法
本发明涉及一种高均匀性的大质量块MEMS结构与制备方法，通过衬底层和结构层晶圆键合与刻蚀技术，形成由固定锚区支撑的可动质量块结构。首先在衬底层或结构层晶圆上经光刻、刻蚀形成锚区，通过晶圆键合的方式形成键合片，减薄键合片至...
张乐民刘福民杨静张树伟刘宇梁德春崔尉吴浩越
一种三明治加速度计微结构制作方法
本发明公开了一种三明治加速度计微结构制作方法，涉及MEMS芯片制造领域，包括以下内容：上、下电极圆片采用硅衬底上薄层玻璃的晶片，首先上下电极圆片在玻璃面进行通孔光刻，再生长铬金薄膜，光刻腐蚀制造出上下电极极板，结构采用单...
刘国文刘宇邱飞燕刘福民杨静李兆涵赵亭杰吴浩越徐宇新
文献传递
一种晶片键合过程中对准检测方法
本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶...
刘福民刘宇张乐民刘国文马骁崔尉梁德春张树伟吴浩越杨静李兆涵徐宇新
一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法
一种薄膜图形化夹具工装及其应用方法，属于微电子机械加工技术领域。本发明方法包括如下步骤：制备硅基掩模；调整掩模翘曲使掩模调整为凹形；在掩模边缘制备固定切边；将掩模和基底对准，并在固定切边处将掩模和基底固定；将掩模和基底用...
张树伟刘福民张乐民杨静刘宇梁德春崔尉吴浩越马骁
文献传递
一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法
本发明公开了一种用于MEMS晶圆级封装的应力补偿方法，加工封帽层硅片时，在其背面加工出与正面完全镜像对称的二氧化硅图形结构；再将封帽层硅片和器件层硅片通过Si‑SiO<Sub>2</Sub>键合在一起形成SOI片，然后完...
崔尉刘福民邱飞燕梁德春刘宇张树伟杨静张乐民吴浩越马骁
文献传递
一种具有应变自抵消的抗过载MEMS可动结构
本发明公开了一种具有应变自抵消的抗过载MEMS可动结构，包括：第一可动质量块、第二可动质量块、第一结构单元、第二结构单元、第三结构单元、第四结构单元、第一抗过载固定锚区、第二抗过载固定锚区、第一抗过载应变梁、第二抗过载应...
张乐民刘福民刘国文徐杰刘宇张树伟杨静崔尉
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