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杨超

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇通信
  • 7篇光通信
  • 5篇DBR
  • 4篇光通信用
  • 4篇GAN
  • 3篇带宽
  • 3篇调制
  • 3篇调制带宽
  • 3篇可见光通信
  • 3篇光效
  • 3篇高光效
  • 2篇单芯片
  • 2篇倒装
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电流限制
  • 2篇电容
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇电阻
  • 2篇多孔

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇赵丽霞
  • 15篇杨超
  • 10篇刘磊
  • 10篇朱石超
  • 5篇于治国
  • 4篇李晋闽
  • 4篇王军喜

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 9篇2017
  • 2篇2016
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于多孔氮化镓的紫外光电探测器及制备方法
本发明提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底之上；n型多孔氮化镓层，位于所述缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述型多孔氮化镓层之上。此外，本发明还提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器的制备...
刘磊杨超赵丽霞
文献传递
可见光通信用倒装RCLED及其制备方法
本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n...
杨超赵丽霞朱石超刘磊于治国王军喜李晋闽
文献传递
具有横向三角孔结构的多孔GaN及其光解水性能
杨超于治国席鑫曹海城赵丽霞
GaN基多孔DBR的制备方法
一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构...
杨超刘磊朱石超赵丽霞
文献传递
基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作...
杨超刘磊赵丽霞
文献传递
调制带宽可调的可见光通信LED光源
一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述...
曹海城杨超朱石超林杉赵丽霞
基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片
一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括：一衬底；形成于衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的底部多孔DBR层；形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层，n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起；形成于...
刘磊杨超赵丽霞
文献传递
基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法
一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作...
杨超刘磊赵丽霞
文献传递
调制带宽可调的可见光通信LED光源
一种调制带宽可调的可见光通信LED光源，包括：一可见光通信用的LED器件、一隔直流电容和一可调电阻；其中隔直流电容与可调电阻串联，隔直流电容和可调电阻与LED器件并联，所述LED器件的正极和隔直流电容的一端为输入端，所述...
曹海城杨超朱石超林杉赵丽霞
文献传递
提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法
一种提高可见光通信LED光源调制带宽的可集成化方法，包括如下步骤：步骤1：在绝缘衬底上的中间制作金属薄膜电阻；步骤2：在金属薄膜电阻的两侧分别制作一个平板电容的下电极板；步骤3：在金属薄膜电阻、下电极板以及绝缘衬底的上方...
曹海城杨超朱石超林杉赵丽霞
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共2页<12>
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