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AlN/环氧树脂绝缘材料的制备及性能研究: 2017年; 以AlN为导热填料制备了高导热环氧树脂绝缘材料。根据AlN填充量、AlN表面改性方法、树脂固化温度、不同粒径AlN填充比例4个因素,设计不同水平正交试验,通过极差分析法和方差分析法,确定了AlN填充量为影响热导率的最关键因素;此外,不同粒径AlN的填充比例和树脂固化温度也是影响AlN/EP热导率的关键因素。最后,考察了以上3个关键因素对AlN/EP体积电阻率、表面电阻率和沿面闪络击穿电压的影响规律。结果表明:在低温固化、AlN填充量为60%、微米/纳米AlN按50%比例混合填充时,AlN/EP的热导率最高可达1.13 W/(m·K);AlN/EP的体积电阻率、表面电阻率和沿面闪络击穿电压均随AlN填充量和纳米AlN比例的增加而提高,在80℃以下随着固化温度的升高而逐渐降低。; 杨黎张腾滕玉平滕玉平张东闫存极闫存极海彬; 关键词：ALN 环氧树脂热导率绝缘材料

等离子体射流装置及抑制环氧树脂表面电荷积聚的方法: 本发明涉及一种等离子体射流装置及抑制环氧树脂表面电荷积聚的方法。一种等离子体射流装置，包括：中空金属毛细管，其外部套有石英玻璃管，二者组合为大气压等离子体射流的射流管，所述射流管接高压电源同时接地，且所述中空金属毛细管的...; 邵涛海彬王瑞雪任成燕章程严萍; 文献传递

大气压空气中纳秒弥散放电数值仿真模型: 大气压下纳秒脉冲弥散放电是一种典型的气体放电形式，在气体激光、材料处理以及金属改性等方面具有广阔的应用前景。采用数值仿真技术研究大气压下等离子体弥散放电中各种粒子的产生、运动路径和发生的物理化学反应，对于理解弥散放电的放...; 王瑞雪海彬章程周中升方志邵涛; 关键词：纳秒脉冲数值仿真针板电极

等离子体射流装置及抑制环氧树脂表面电荷积聚的方法: 本发明涉及一种等离子体射流装置及抑制环氧树脂表面电荷积聚的方法。一种等离子体射流装置，包括：中空金属毛细管，其外部套有石英玻璃管，二者组合为大气压等离子体射流的射流管，所述射流管接高压电源同时接地，且所述中空金属毛细管的...; 邵涛海彬王瑞雪任成燕章程严萍; 文献传递

等离子体沉积类SiO_2薄膜抑制环氧树脂表面电荷积聚被引量：30: 2017年; 气体绝缘设备中的环氧树脂材料在直流高压下易积聚表面电荷,引发沿面闪络事故。为了抑制环氧树脂材料表面电荷的积聚,采用交流电源激励的滑动放电产生低温等离子体,并以正硅酸乙酯(TEOS)为反应前驱物在环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜,同时利用Fourier变换红外光谱仪(FTIR)、高阻表和表面电位测试系统等对沉积薄膜表面进行分析。实验结果表明:沉积时间超过5 s时,环氧树脂表面形成一层以Si—O—Si及Si—OH基团为主要组成的薄膜,其厚度可达219 nm;且水接触角显著降低,表面电导率及体积电导率可提升2个数量级,相对介电常数明显降低。表面电位3维分布图结果表明,沉积处理后环氧树脂的表面电荷初始积聚减少,且消散速度加快。这是因为环氧树脂表面沉积类SiO_2薄膜后使材料表面陷阱能级变浅,从而抑制了表面电荷的积聚。; 海彬章程王瑞雪张帅陈根永邵涛; 关键词：环氧树脂电导率

DBD在环氧树脂表面沉积类SiO2薄膜表面电荷积聚的研究: 环氧树脂材料在直流高压电场下其三接触面处易积聚的表面电荷会导致其绝缘强度下降,甚至引发沿面闪络事故。本文中利用微秒脉冲电源激励的大气压介质阻挡放电,以正硅酸乙酯作为反应前驱物,采用PECVD方法在环氧树脂表面沉积类SiO...; 海彬王瑞雪章程任成燕邵涛; 关键词：环氧树脂 DBD 闪络电压

绝缘材料表面电荷测量优化及等离子体处理对其表面电特性的影响被引量：20: 2017年; 绝缘材料表面电荷衰减特性在一定程度上反映了介质材料表面电学性能的好坏,其变化会影响材料的极化、抗静电性能以及闪络性能。如何对绝缘子表面电荷分布进行准确的测量具有重要意义。基于自主搭建的表面电位测试系统,在针–板电极下,研究了不同测量条件(电压幅值、充电时间、有无栅极网、相对湿度)对环氧树脂材料表面电位测量的影响,并提出最佳测量条件。优化介质阻挡放电等离子体(DBD)放电参数,并处理环氧树脂表面,利用搭建的表面电位测试系统研究了等离子体处理对环氧树脂表面电位衰减速率的影响规律。结果表明介质表面最大电位幅值随施压幅值的增加而增加,但增加一定程度后达到饱和状态;施压时间对表面电位影响不大;湿度的增大会加快表面电位的衰减;栅极的存在会对表面电位有"钳制"作用。经DBD处理后环氧树脂表面电位衰减明显加快,且衰减速率随处理时间的增加呈先增加后减小的变化趋势,最佳处理时间为180 s。该研究为表面电荷测量提供了有利的参考,并提供了一种有效加速表面电荷衰减的改性方式。; 王瑞雪海彬田思理任成燕陈根永邵涛; 关键词：表面电位测量介质阻挡放电等离子体

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海彬