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许明坤

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇金属膜
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇金属
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶硅
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇金属颗粒
  • 2篇衬底
  • 1篇等离子处理
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇电器件
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇选位
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏材料

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇许明坤
  • 5篇余林蔚
  • 5篇李成栋
  • 1篇于忠卫
  • 1篇王鸿祥
  • 1篇时荣荣

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法
一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
平面硅纳米线自定位生长及同质、异质外延调控
一维半导体硅纳米线具有独特的能带结构和光电响应特性，有望成为构建新一代微纳电子和光电器件的核心构件，在硅基逻辑、存储、光电转换和化学生物传感等领域具有十分重要的应用前景，并受到了广泛而深入的研究关注。相比于“自上而下”的...
许明坤
关键词：电学性质
一种外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法
外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温...
余林蔚许明坤薛兆国王吉米李成栋
文献传递
一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，氢气等离子体处理样...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
一种检测甲烷的PMMA-二氧化锡基薄膜气敏传感器
本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器，采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构，其中PMMA作为粘合剂，与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液，通过旋涂形成PMMA-SnO2薄...
余林蔚时荣荣许明坤于忠卫钱晟一薛兆国李成栋王鸿祥
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