郁鑫鑫
- 作品数：57 被引量：12H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，采用石墨烯转移技术将石墨烯薄膜转移至氢终端金刚石衬底上得到样品；光刻源漏图形，并进行源漏金属的蒸发和剥离；进行退火处理；采用原子层淀积技术ALD生长一层Al...
- 郁鑫鑫周建军孔岑
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- 高击穿特性的Si基双异质结AlGaN/GaN HEMT
- 由于价格低廉,在Si衬底上异质外延生长GaN材料来研制电力电子器件具有广阔的发展前景.然而,GaN与Si之间存在高达16.9％的晶格失配和56％的热失配,在Si上生长GaN将面临高难度的技术挑战.本文在4英寸Si衬底上采...
- 郁鑫鑫倪金玉李忠辉周建军孔岑
- 一种氮化镓刻蚀方法
- 本发明公开了一种氮化镓刻蚀方法，具体操作包括制备介质层；制备光刻胶掩膜刻蚀图形；制备介质掩膜刻蚀图形；去除光刻胶；在O<Sub>2</Sub>、Ar气氛下预刻蚀GaN；在Cl<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</S...
- 孔岑周建军张凯郁鑫鑫
- 文献传递
- 高耐压氧化镓射频场效应晶体管
- 2023年
- 超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效应严重,频率性能受限。南京电子器件研究所联合南京大学、上海微系统所、天津电子材料研究所,突破了氧化镓上低能离子注入沟道技术,实现了高浓度的类二维电子气超薄导电沟道,研制出高击穿电压的氧化镓射频场效应晶体管[1]。
- 郁鑫鑫周建军李忠辉陶然吴云张凯孔月婵陈堂胜
- 关键词：二维电子气氧化镓短沟道效应射频器件宽禁带
- SOI基级联双微环滤波器研究被引量：1
- 2017年
- 研究了基于绝缘衬底上的硅(SOI)材料的微环谐振器,实现了光滤波器的功能。采用电子束直写和干法刻蚀等工艺制作出SOI基微环谐振器,微环半径为74μm。测试结果表明,器件的自由频谱宽度(FSR)为1.238nm,1 550nm波长附近的抑制比大于10dB。通过对微环谐振器进行热调谐,在0~4V电压范围内实现了大于一个FSR的可调谐滤波特性。
- 顾晓文牛斌郁鑫鑫
- 关键词：微环谐振器光栅耦合可调谐
- 一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法
- 本发明是一种降低GaN？HEMT器件欧姆接触电阻的方法，包括1）GaN异质结材料上生长Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>和SiO<Sub>2</Sub>复合介质层；2）欧姆区域薄层Ni蒸发剥离；3）N...
- 周建军孔岑郁鑫鑫
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- 高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究被引量：3
- 2019年
- 报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。
- 郁鑫鑫周建军王艳丰邱风孔月婵王宏兴陈堂胜
- 关键词：金刚石肖特基二极管高电流密度
- 不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质金刚石MOSFET器件研究
- 2024年
- 采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)技术,在(001)晶面的单晶金刚石衬底上制备了不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石MOSFET器件。在200℃下沉积Al_(2)O_(3)栅介质的器件的饱和电流密度为291 mA/mm,当沉积温度升高至300℃时,器件的饱和电流密度大幅度提高至504 mA/mm,提高了73%。同时,升高沉积温度后,器件还具有更低的导通电阻、更高的跨导和更大的阈值电压,表明该器件具有更高的载流子浓度,这与300℃下沉积的Al_(2)O_(3)中具有更多的负电荷有关。对两种器件的小信号特性进行了研究,发现将ALD Al_(2)O_(3)的沉积温度从200℃升高至300℃后,器件的截止频率f_(T)和最大振荡频率f_(max)也得到了提升,表明采用高温ALD Al_(2)O_(3)沉积技术可以显著提升金刚石MOSFET器件的电流密度和频率性能。
- 谯兵郁鑫鑫何适陶然陶然陈堂胜
- 关键词：金刚石原子层沉积氧化铝
- 一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件
- 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO<Sub>2</Sub>；(3)定义欧姆接触区域；(4)制...
- 周建军孔月婵孔岑郁鑫鑫张凯郁元卫
- 通过腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法
- 本发明公开了一种腐蚀自对准工艺实现的碳纳米管晶体管器件制造方法，具体为：1)在衬底上设置碳纳米管薄膜；2)在碳纳米管薄膜上设置一层金属薄膜；3)在金属薄膜上划分出源极区域、漏极区域和沟道区域，并去除以上区域之外的金属薄膜...
- 杨扬吴云周建军霍帅郁鑫鑫曹正义孔月婵陈堂胜
- 文献传递
