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张子阳

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 6篇自旋
  • 6篇相变
  • 6篇相变材料
  • 6篇间隔层
  • 6篇固定层
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 4篇突触
  • 2篇阵列
  • 2篇神经网
  • 2篇神经网络
  • 2篇神经元
  • 2篇阻值
  • 2篇网络
  • 2篇协处理
  • 2篇协处理器
  • 2篇阶层
  • 2篇阶层结构
  • 2篇结构化信息
  • 2篇控制电路

机构

  • 12篇清华大学

作者

  • 12篇张子阳
  • 4篇吴双
  • 4篇邓磊
  • 2篇潘龙法
  • 2篇裴京

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
相变自旋非易失存储单元
本发明提供一种相变自旋非易失存储单元，其包括磁固定层、间隔层、磁自由层、第一电极以及第二电极，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述磁固定层上，所述第二电极设置在所述磁自由层上，其中，所述间...
李黄龙张子阳施路平
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可同时计算和编程的神经形态电路
本发明提供一种可同时计算和编程的神经形态电路，包括：第一神经元、第二神经元、突触，所述突触为三端忆阻器，所述三端忆阻器包括源端、漏端和门端。所述源端与所述第一神经元的输出端连接，用于接收该第一神经元发出的前向信号。所述漏...
李黄龙邓磊张子阳吴双王耀园施路平
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相变自旋非易失存储单元
本发明提供一种相变自旋非易失存储单元，其包括磁固定层、间隔层、磁自由层、第一电极以及第二电极，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述磁固定层上，所述第二电极设置在所述磁自由层上，其中，所述间...
李黄龙张子阳施路平
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一种基于神经形态电路的类脑协处理器
本发明提供一种基于神经形态电路的类脑协处理器，该类脑协处理器包括存储训练特征信息的存储模块、基于阶层结构的神经形态电路的处理模块、分别与处理模块的输入端和输出端连接的编码器和解码器，及分别与存储模块和解码器的输出端连接的...
裴京邓磊张子阳潘龙法施路平
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一种基于神经形态电路的类脑协处理器
本发明提供一种基于神经形态电路的类脑协处理器，该类脑协处理器包括存储训练特征信息的存储模块、基于阶层结构的神经形态电路的处理模块、分别与处理模块的输入端和输出端连接的编码器和解码器，及分别与存储模块和解码器的输出端连接的...
裴京邓磊张子阳潘龙法施路平
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全相变自旋非易失存储单元
本发明提供一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层。所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置。所述磁固定...
李黄龙张子阳施路平
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可同时计算和编程的神经形态电路
本发明提供一种可同时计算和编程的神经形态电路，包括：第一神经元、第二神经元、突触，所述突触为三端忆阻器，所述三端忆阻器包括源端、漏端和门端。所述源端与所述第一神经元的输出端连接，用于接收该第一神经元发出的前向信号。所述漏...
李黄龙邓磊张子阳吴双王耀园施路平
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三值神经网络突触阵列及利用其的神经形态计算网络系统
本发明提供一种三值神经网络突触阵列，包括多个电子突触及控制电路，所述多个电子突触构成m×n电子突触阵列，所述控制电路控制该多个电子突触的阻态，所述电子突触的阻态数目为3。本发明还进一步提供一种基于该三值神经网络突触阵列的...
李黄龙施路平吴双张子阳王耀园
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相变自旋非易失存储单元
本发明提供一种相变自旋非易失存储单元，其包括磁固定层、间隔层、磁自由层、第一电极以及第二电极，所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述第一电极设置在所述磁固定层上，所述第二电极设置在所述磁自由层上，其中，所述间...
施路平李黄龙张子阳
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全相变自旋非易失存储单元
本发明提供一种全相变自旋非易失存储单元，包括磁固定层、间隔层、磁自由层。所述磁固定层、间隔层以及磁自由层依次层叠设置，所述间隔层设置在所述磁固定层和磁自由层之间，且该间隔层分别与所述磁固定层和磁自由层接触设置。所述磁固定...
李黄龙张子阳施路平
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