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基于薄膜退火的MoS_2/SiO_2/Si异质结太阳能电池光伏性能提高被引量：4: 2017年; 为了制备高效的MoSi/SiO_2/Si异质结太阳能电池,利用磁控溅射技术制备MoS_2薄膜,并在硫气氛下对MoS_2薄膜进行退火处理。分别用退火和未退火的MoS_2薄膜制备MoS_2/SiO_2/Si异质结太阳能电池,研究了退火对MoS_2薄膜的微观结构和MoS_2/SiO_2/Si异质结太阳能电池光电性能的影响。实验结果显示,相比于未退火的,经过退火处理的MoS_2薄膜的拉曼峰半高宽(FWHM)变窄,峰强增强,显微荧光光谱中也出现明显的激子发光峰。由此表明,退火处理使MoS_2薄膜由非晶向晶态转变,薄膜的体缺陷减少,异质结太阳能电池的开路电压和填充因子得到提升,器件转换效率从0.94%提高到1.66%。不同光照强度下的J-V测量和暗态的J-V测量结果表明,经退火处理的MoS_2薄膜的异质结太阳能电池具有较高的收集电压和更接近于1的理想因子,这归因于退火导致MoS_2薄膜的体缺陷的减少,近而降低了MoS_2/SiO_2/Si异质结太阳能电池器件的体缺陷复合。; 许贺菊张彬张瑜丛日东于威; 关键词：太阳能电池 MOS2薄膜退火

晶体硅太阳能电池绒面的反应离子刻蚀制备研究被引量：4: 2015年; 以SF6和O2为反应气体,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,在单晶硅衬底表面制备了锥型绒面结构,系统地研究了关键刻蚀条件对RIE晶硅表面制绒的影响。结果表明,随着反应气压增大,晶体硅表面锥型结构呈现分布均匀和高度增加的趋势,但过高气压下锥型微结构向脊型转变直至消失。在反应气体中掺入CH4,晶体硅表面锥型结构高度增加,表面平均反射率下降到5.63%。该结果可解释为:气压增大导致的F原子刻蚀的增强有利于锥体结构高度增加,小尺寸的Si OyFx聚合物掩模的完全刻蚀使锥型结构的尺寸逐渐均匀,而过高的气压下,掩模及晶体硅的过量刻蚀导致微结构只剩锥体底部的脊型凸起。CH4掺入导致CHx聚合物的掩模和粒子轰击效应均有增强,更有利于高纵横比锥型微结构的形成。; 靳聪慧史振亮于威丛日东张瑜宋登元傅广生; 关键词：反应离子刻蚀晶体硅太阳能电池

二硫化钼薄膜制备及其在硅基异质结太阳能电池中的应用: 二维MoS2的强光学吸收和高载流子迁移特性,使其在新型光伏器件应用方面极具潜力。本工作采用磁控溅射沉积并结合等离子体退火技术制备MoS2薄膜（图1）,研究低缺陷密度MoS2薄膜的低温沉积工艺;研究了界面缺陷对p-Si/M...; 张彬张瑜米建松于威丛日东; 关键词：MOS2薄膜; 文献传递

氢钝化对低温沉积nc-SiO_x/SiO_2多层薄膜发光特性影响机制研究: 2015年; 采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiO_x/SiO_2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N_2+H_2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究。结果表明,直接沉积的纳米硅多层薄膜未观察到较明显的室温发光,而形成气体退火后样品出现峰值位于780 nm附近较强的光致发光,归因于活性氢能有效钝化纳米硅表面悬键,提高了材料的发光强度。结合瞬态发光谱分析,采用量子限制-发光中心模型可以合理解释纳米硅多层结构的发光特性。; 郑燕李云王新占刘建苹张瑜于威赖伟东任丽坤; 关键词：光致发光

MoS2薄膜的退火处理提高MoS2/Si异质结太阳能电池的光伏性能: 本文利用磁控溅射技术制备二硫化钼薄膜，并在硫气氛下对二硫化钼薄膜进行退火处理.制备出二硫化钼/硅异质结太阳能电池，研究了二硫化钼薄膜的微观结构对异质结电池光电性能的影响.结果表明，相比于原位生长的二硫化钼薄膜，热退火显...; 许贺菊张彬张瑜米建松丛日东于威

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张瑜