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邵乐喜

作品数:69 被引量:109H指数:6
供职机构:湛江师范学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省教育厅自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 36篇期刊文章
  • 25篇会议论文
  • 8篇专利

领域

  • 25篇理学
  • 18篇电子电信
  • 14篇一般工业技术
  • 13篇电气工程
  • 5篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇电池
  • 10篇溅射
  • 10篇光电
  • 9篇太阳电池
  • 9篇金刚石
  • 9篇刚石
  • 8篇金刚石薄膜
  • 7篇发光
  • 7篇掺杂
  • 6篇电子发射
  • 6篇射频溅射
  • 6篇纳米
  • 6篇场电子发射
  • 5篇性能研究
  • 5篇涂层
  • 5篇退火
  • 5篇硫化
  • 5篇CVD金刚石
  • 5篇CVD金刚石...
  • 5篇衬底

机构

  • 58篇湛江师范学院
  • 24篇兰州大学
  • 13篇北京工业大学
  • 7篇术开发中心
  • 5篇华南理工大学
  • 4篇广东工业大学
  • 3篇国立清华大学
  • 3篇岭南师范学院
  • 2篇浙江大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南洋理工大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院近...
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇台湾清华大学
  • 1篇物理科学与技...
  • 1篇浙江师范学院

作者

  • 69篇邵乐喜
  • 25篇张军
  • 12篇谢二庆
  • 10篇邹长伟
  • 10篇陈光华
  • 10篇贺德衍
  • 10篇刘小平
  • 8篇谢伟
  • 8篇李达
  • 7篇付玉军
  • 4篇黄惠良
  • 3篇谢毅柱
  • 3篇张昆辉
  • 3篇吕文辉
  • 3篇梁枫
  • 3篇李栋宇
  • 2篇李东珂
  • 2篇刘贵昂
  • 2篇陈小敏
  • 2篇杨元政

传媒

  • 6篇湛江师范学院...
  • 5篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 3篇无机材料学报
  • 3篇材料研究与应...
  • 3篇第十四届全国...
  • 2篇物理
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇真空科学与技...
  • 2篇2010年全...
  • 2篇2013年广...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理实验
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇中山大学学报...
  • 1篇兰州大学学报...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇真空电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 8篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 2篇2003
  • 4篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇2000
  • 5篇1999
  • 2篇1998
69 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
无Cd薄膜CuInS2太阳电池的低成本全程溅射技术制作
本文提出了一种新的无Cd薄膜CuInS太阳电池的工业化生产技术,通过运用全程溅射工艺降低制作成本。为改善短波段的量子效率和增大短路电流,采用反应溅射制作了ZnS薄膜代替CdS作为缓冲层避免了对环境的污染。所制得的ZnO:...
邵乐喜黄惠良
文献传递
ZnO∶TMLi基多铁材料的制备及缺陷浓度对室温铁磁性的影响
多铁材料(multiferroic)即在同一材料内同时拥有两个或两个以上的铁有序参数比如铁电,铁磁或铁弹性。当外加磁场、电场或应力发生变化时,这类材料的自发磁极化、自发电极化或自发形变的方向会发生相应的调整变化。多铁性综...
邹长伟张军邵乐喜
氮掺杂VCD金刚石薄膜的场电子发射研究被引量:2
1999年
用微波等离子体化学气相沉积(MP-CVD)方法生长氮掺杂金刚石薄膜,研究发薄膜场电子发射性能。实验结果表明,不同氮源气体流量下制备的榈均呈现连续而稳定的场电子发射,但发射性能对氮源气体流量有强烈的依赖性。随着氮源气体流量由0逐渐增大到0.5cm^3(STP)/min,发射的开启电压从1050V逐渐减小为150V,而当氮流量超过0.5cm^3(STP)/min时,开启电压则不断增大,当氮流量为3.
邵乐喜陈光华
关键词:电子发射氮掺杂金刚石薄膜
用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性被引量:1
2007年
采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.
邵乐喜付玉军张军贺德衍
关键词:真空蒸镀硫化
“技术”课程的师资培养探讨被引量:1
2007年
选取湛江师范学院机电技术、电子技术和计算机教育3个专业的在校师范生作为对象,对他们的"技术知识"和"技术素养"作了问卷调查.通过分析调查数据,针对新课程下中学"技术"课程的师资培养进行了探讨,进而对相关课程的分解与设置提出了初步的看法与建议.
邵乐喜刘小平李固强
关键词:信息技术课程设置
射频溅射金属前驱体硫化法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜(英文)
2007年
采用射频溅射技术沉积Cu/Sn/Zn金属前驱体叠层结合硫化技术在玻璃衬底上成功制备了Cu2ZnSnS4薄膜。X-射线衍射分析表明,通过优化制备条件可以获得单一黝锡矿结构且具有(221)择优取向的Cu2ZnSnS4薄膜。霍尔效应和紫外可见透过谱测量表明,样品的薄膜电阻、吸收系数和光学带隙分别达到0.073Ω.cm,104cm-1和1.53eV,具有适合作为薄膜太阳电池吸收层应用的可能性。
张军付玉军邵栋邵乐喜
关键词:太阳电池射频磁控溅射
热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响被引量:4
2001年
以氮气为反应气体;用射频反应溅射方法制备了AIN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700℃退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.
邵乐喜刘小平谢二庆贺德衍陈光华
关键词:AIN薄膜场电子发射热退火氮化铝薄膜
铝掺杂氧化锌薄膜在玻璃衬底上的RF反应共溅射低温织构生长被引量:8
2003年
以金属锌 ( Zn)和铝 ( Al)为靶材采用射频 ( RF)反应共溅射技术在低温 ( 2 0 0℃ )玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌 ( Zn O∶ Al)薄膜 .运用扫描电子显微镜 ( SEM)、能量色散 X射线谱 ( EDX)、表面轮廓仪 (α- Step)、X射线衍射( XRD)和双光束紫外 -可见光谱仪 ( U V- VIS)等分别对沉积样品的表面和断面的形貌结构、组成成分和光学特性进行了分析表征 .研究了反应气体氧与氩流量比 ( O2 / Ar)和 RF溅射功率对沉积样品的生长速率、结构特征和光电学性质的影响 .结果表明 ,薄膜的成长速率强烈依赖于 RF溅射功率 ,而薄膜的结构形貌和成分的化学配比则主要由反应气体流量比 O2 / Ar决定 .通过对沉积参数的优化但未经退火处理 ,得到了六角纤锌矿结构单一 ( 0 0 0 2 )结晶方向的 Zn O∶ Al薄膜 ,其可见光透过率达 85 % ,电阻率在 10 - 1 ~ 10 3Ω· cm之间 .实验发展的低温 RF共溅射技术不仅具有造价低廉、工艺简单可靠和材料来源广泛等特点 ,而且还能有效防止器件底层材料间的互扩散 ,沉积薄膜的性能基本符合光电器件涂层特别是薄膜太阳电池窗口层应用的要求 。
邵乐喜张昆辉黄惠良
关键词:织构
一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的低成本制备方法
本发明涉及一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的低成本制备方法,属于半导体光电材料与器件技术领域;本方法采用共同蒸发法制备Cu、Zn和Sn的金属前驱体,再将前驱体在硫蒸气中进行硫化得到多晶铜锌锡硫薄膜Cu<Sub>2</Su...
邵乐喜
文献传递
氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射研究
1999年
对氮离子注入掺杂的微波等离子CVD金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明,发射具有3阶段特征,即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后,稳定的发射建立起来,并表现出优异的发射性能,开启电压低(45V),发射电流大(130mA)。
邵乐喜谢二庆路永刚贺德衍贺德衍王志光陈光华
关键词:场电子发射CVD金刚石薄膜离子注入
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