马继奎
- 作品数：15 被引量：14H指数：3
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响被引量：10
- 2011年
- 应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×10-4A/cm2。漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性。
- 赵庆勋张婷马继奎魏大勇王宽冒刘保亭
- 关键词：磁控溅射沉积温度SRRUO3BIFEO3薄膜
- 光照对BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜铁电和输运性质的影响被引量：3
- 2011年
- 采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/SrRuO3/BFMO/Pt型电容器。X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜。紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布。研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7S增大到6.63×10-7S。通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制。
- 彭增伟刘保亭魏大勇马继奎王宽冒李曼赵光
- 关键词：光照铁电性质输运性质
- 浅结密栅线硅太阳电池工艺研究
- 2013年
- 通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。
- 马继奎陈明敬闫英丽崔景光张东升安海娇
- 关键词：多晶硅电池方块电阻丝网印刷电性能
- 氮氢混合气氛退火中氢对Bi_4Ti_3O_(12)铁电性能的影响
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了在氮氢混合气氛中退火后Bi4Ti3O12铁电性的退化机理.分别计算了无氢、含氢模型中Ti沿c轴位移时体系总能量的变化,电子云密度分布,以及电子结构的总能态密度的变化.结果表明含氢Bi4Ti3O12铁电相Ti-O,Bi-O间的电子云重叠布居分布较无氢情况下变化明显,氢氧之间较强的轨道杂化使它们趋于形成共价键;晶格中氢氧键的钉扎效应使含氢情况下顺电相能量低于铁电相能量,表明氢的引入阻碍了Bi4Ti3O12从四方顺电相到正交铁电相的相变,同时造成Bi4Ti3O12晶体的导电性能增强,并推断其为含氢气氛退火过程中Bi4Ti3O12铁电性能退化的主要原因.
- 赵庆勋马继奎耿波魏大勇关丽刘保亭
- 关键词：铁电性BI4TI3O12第一性原理
- 基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器
- 本发明提供了一种基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器，属于位置探测器的技术领域。其结构包括单晶Si基片和生长在单晶Si基片上的PbSe薄膜层，在PbSe薄膜层上制作第一电极和第二电极，通过导线连接第一电极和第二电极并...
- 马继奎乔双陈明敬闫国英王淑芳
- 沉积温度对BiFeO_3薄膜结构和性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65μC/cm2。采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理。
- 赵庆勋魏大勇王宽冒马继奎刘保亭王英龙
- 关键词：脉冲激光沉积沉积温度
- 基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器
- 本发明提供了一种基于PbSe薄膜的自供电光位置灵敏探测器，属于位置探测器的技术领域。其结构包括单晶Si基片和生长在单晶Si基片上的PbSe薄膜层，在PbSe薄膜层上制作第一电极和第二电极，通过导线连接第一电极和第二电极并...
- 马继奎乔双陈明敬闫国英王淑芳
- 文献传递
- 一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法，光、热探测器包括横向热电元件、金属电极及金属引线，在横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极，金属引线与金属电极相连接；横向热电元件包括铋硒碲薄膜，该铋硒...
- 马继奎王淑芳陈明敬方立德李红莲李小亭傅广生
- 文献传递
- 一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法
- 本发明提供了一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法，光、热探测器包括横向热电元件、金属电极及金属引线，在横向热电元件的上表面设置有两个对称的金属电极，金属引线与金属电极相连接；横向热电元件包括铋硒碲薄膜，该铋硒...
- 马继奎王淑芳陈明敬方立德李红莲李小亭傅广生
- 不同电极对外延BiFeO_3薄膜铁电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制。X射线衍射图谱和Φ扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm。薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制。BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe。
- 马继奎赵庆勋彭增伟陈明敬史金超刘保亭
- 关键词：BIFEO3磁控溅射铁电性
