韩冰
- 作品数：37 被引量：46H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- 一种数字域TDI探测器的优化匹配成像方法及装置
- 本发明公开了一种数字域TDI探测器的优化匹配成像方法及装置。该方法首先对数字域TDI探测器的输出信号进行采集，按列进行独立存储。选择其中一个存储器为参考，以列为单位从其中读出数据作为目标列。利用目标列与其他存储器的数据进...
- 陈忻饶鹏韩冰赵云峰
- 文献传递
- 微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性被引量：1
- 2006年
- 外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。-μPCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要。
- 吕衍秋王妮丽庄春泉韩冰李向阳龚海梅
- 关键词：均匀性INGAAS载流子寿命焦平面阵列
- Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
- 2007年
- 研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.
- 吕衍秋越方禹洪学鹍陈江峰韩冰吴小利龚海梅
- 关键词：INGAASINP湿法腐蚀
- (NH4)2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究
- 本研究通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命。结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaAs双异质结材料的界面...
- 韩冰王妮丽唐恒敬龚海梅
- 关键词：红外材料
- 文献传递
- LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区被引量：5
- 2007年
- 利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器。测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器间没有串音,虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀,但因为少数载流子的侧向收集,扩大了有效光敏感区。
- 吕衍秋乔辉韩冰唐恒敬吴小利李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器串音
- 256×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究
- 本文利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1正照射InGaAs探测器阵...
- 韩冰吕衍秋吴小利李雪龚海梅
- 关键词：红外探测器焦平面阵列半导体材料分子束外延
- 文献传递
- 一种非接触式柱状物垂直度测量装置
- 本专利公开了一种非接触式柱状物垂直度测量装置。本专利利用双目高清摄像头和激光线实现对柱状物体实时的垂直度检测，激光线作为垂直基准，双目高清摄像头对柱状成像，通过边沿检测和直线检测方法，实现对柱状物体边沿位置标定，通过对比...
- 韩冰饶鹏夏晖陆福星陈忻黄茂潼
- 文献传递
- (NH_4)_2S硫化处理后InGaAs表面特性的研究
- 2007年
- 通过(NH4)2S湿法硫化InGaAs表面,利用微波反射光电导衰减法测量了经(NH4)2S硫化后的少数载流子寿命。结果显示,经过硫化处理后的InGaAs表面复合速度接近于理想的InP/InGaAs双异质结材料的界面复合速度。为了更好地表征钝化效果,在硫化后的InGaAs表面淀积SiNx制备了M IS结构,通过高低频C-V测试得出两者的界面态密度为8.5×1010cm-2.eV-1。
- 韩冰王妮丽唐恒敬龚海梅
- 关键词：INGAAS硫化表面钝化
- 微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用
- 2007年
- 微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中In-CaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差。可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义。
- 吴小利张可峰唐恒敬韩冰李雪龚海梅
