刘畅
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- n-GaN肖特基势垒光敏器件的电子辐照效应被引量：4
- 2005年
- 本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化。从实验中观测到,随着辐照注量的不断增加,GaN光敏器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大。证实了辐照后Au/GaN间产生的界面态是引起GaN肖特基势垒光敏器件辐照失效的原因。另外,在研究辐照效应对GaN肖特基二管光敏特性的影响时观测到,经过一定剂量的辐照后,GaN肖特基二管能探测到380nm的紫外光和可见光,而在辐照以前,它是探测不到的。这说明辐照效应将导致肖特基势垒光敏器件对较长波长的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加。
- 刘畅王鸥袁菁钟志亲龚敏
- 关键词：电子辐照紫外探测器肖特基二极管
