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单亚兵

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：上海电力学院更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电阻
  • 3篇电场
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电材料
  • 3篇寄生电阻
  • 3篇红外
  • 3篇红外光
  • 2篇电极
  • 2篇多波段
  • 2篇探测器
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇外加电场
  • 2篇稀土材料
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇介电常数
  • 2篇近红外
  • 2篇近红外光
  • 2篇晶体管

机构

  • 9篇上海电力学院

作者

  • 9篇汤乃云
  • 9篇单亚兵
  • 2篇李雪
  • 1篇张乐

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法
本发明涉及一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法，具体步骤为：在硅衬底上生长一层二氧化硅介质层；在二氧化硅介质层上覆盖一层二维材料；在二维材料表面按照图形旋涂一层光刻胶形成掩膜，并使二维材料的两端裸露在外；对二维材料进行辐...
汤乃云杜琛徐浩然王倩倩单亚兵
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一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法
本发明涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法，包括以下步骤：(1)：首先，在二维相变材料表面生长一层金属薄膜；(2)：接着，对二维相变材料进行退火，使得金属薄膜吸收热量转变为纳米金属颗粒；(3)：最后，...
汤乃云徐浩然杜琛王倩倩单亚兵
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一种电场可控的二维材料肖特基二极管
本发明涉及一种电场可控的二维材料肖特基二极管，包括衬底层，衬底层自下而上依次设置金属层、高介电常数材料层和单层二维半导体材料层，单层二维半导体材料层的两端分别设置金属电极A和金属电极B，单层二维半导体材料层的上部部分区域...
汤乃云王倩倩单亚兵杜琛徐浩然
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一种铟镓砷红外探测器制备方法
本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~60...
汤乃云仇志军单亚兵龚海梅李雪邵秀梅
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一种二维相变场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种二维相变场效应晶体管及其制备方法，二维相变场效应晶体管包括多晶硅衬底层，多晶硅衬底层自下而上依次设置介质层、二维材料层和铁电材料层，二维材料层和铁电材料层之间还设置将它们部分分隔开的绝缘材料层，二维材料层两...
汤乃云王倩倩徐浩然杜琛单亚兵
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一种铟镓砷红外探测器制备方法
本发明涉及一种铟镓砷红外探测器制备方法，为一种InP/InGaAs/InP类型的P‑I‑N结构红外探测器，用旋涂法制备一层掺杂稀土材料的下转换发光薄膜到铟镓砷红外探测器InP帽层上作为转换层，此转换层吸收400nm~60...
汤乃云仇志军单亚兵龚海梅李雪邵秀梅
一种电场可控的二维材料肖特基二极管
本发明涉及一种电场可控的二维材料肖特基二极管，包括衬底层，衬底层自下而上依次设置金属层、高介电常数材料层和单层二维半导体材料层，单层二维半导体材料层的两端分别设置金属电极A和金属电极B，单层二维半导体材料层的上部部分区域...
汤乃云王倩倩单亚兵杜琛徐浩然
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一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器
本发明涉及一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，采用磷化铟为衬底材料，依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层；在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯...
汤乃云王倩倩单亚兵杜琛徐浩然
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一种基于红外光谱的早期癌细胞检测系统
本发明涉及一种基于红外光谱的早期癌细胞检测系统，包括光源发射单元、聚光透镜、光纤探头、入射光纤、反射光纤、滤光片、校准透镜、傅里叶红外光谱仪以及处理单元，光源发射单元、聚光透镜及光纤探头顺序通过入射光纤连接，光纤探头、滤...
汤乃云崔明仁张乐单亚兵
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