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郑泽科

作品数：38 被引量：10H指数：2
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金广东省科技计划工业攻关项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇专利
  • 6篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 28篇晶体管
  • 25篇薄膜晶体
  • 25篇薄膜晶体管
  • 10篇氧化物
  • 10篇半导体
  • 7篇有源层
  • 6篇溅射
  • 5篇导体
  • 5篇电极
  • 5篇室温制备
  • 5篇迁移
  • 5篇迁移率
  • 5篇衬底
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇叠层
  • 4篇载流子
  • 4篇栅极
  • 4篇室温
  • 4篇金属栅

机构

  • 38篇华南理工大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 38篇郑泽科
  • 35篇彭俊彪
  • 35篇宁洪龙
  • 35篇姚日晖
  • 28篇王磊
  • 23篇徐苗
  • 13篇曾勇
  • 11篇李晓庆
  • 10篇兰林锋
  • 9篇蔡炜
  • 6篇曾勇
  • 5篇陈建秋
  • 4篇陈建秋
  • 3篇陶洪
  • 3篇邹建华
  • 2篇文尚胜
  • 2篇吴为敬
  • 2篇陈港
  • 2篇方志强
  • 2篇徐华

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 16篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法
本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在...
姚日晖郑泽科宁洪龙章红科李晓庆张啸尘刘贤哲彭俊彪徐苗王磊
文献传递
一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种室温脉冲直流溅射波形优化的薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：室温下直流溅射在基板上制备TFT金属栅极；室温下通过阳极氧化法将一部分栅极氧化成栅极绝缘层；室温下通过脉冲直流溅射制...
姚日晖郑泽科宁洪龙彭俊彪章红科李晓庆张啸尘陈建秋王磊徐苗
具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法
本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层...
宁洪龙曾勇刘贤哲郑泽科姚日晖兰林锋王磊徐苗邹建华陶洪彭俊彪吴为敬
文献传递
一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极
本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极...
宁洪龙卢宽宽姚日晖胡诗犇刘贤哲郑泽科章红科徐苗王磊彭俊彪
一种类岛状电子传输的薄膜晶体管
本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其...
宁洪龙曾勇姚日晖郑泽科章红科徐苗王磊彭俊彪
文献传递
室温制备柔性薄膜晶体管研究
柔性显示器件是显示技术领域研究的热点,其关键技术之一是柔性薄膜晶体管(Thin Film Transistors,TFTs)阵列的制备.氧化物半导体被认为是最有前景的TFT有源层材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT...
宁洪龙曾勇郑泽科刘贤哲胡诗犇陶瑞强姚日晖兰林锋王磊彭俊彪
关键词：室温制备
一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法
本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻...
宁洪龙卢宽宽姚日晖胡诗犇刘贤哲郑泽科章红科徐苗王磊彭俊彪
一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管
本实用新型属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al<...
姚日晖章红科宁洪龙郑泽科李晓庆张啸尘蔡炜徐苗王磊彭俊彪
文献传递
一种高性能薄膜晶体管
本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别...
宁洪龙胡诗犇姚日晖卢宽宽刘贤哲郑泽科章红科徐苗王磊彭俊彪
文献传递
一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例...
姚日晖郑泽科宁洪龙章红科李晓庆张啸尘邓宇熹周尚雄袁炜健彭俊彪
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