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郑大卫

作品数:8 被引量:0H指数:0
供职机构:华为技术有限公司更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇波导
  • 4篇调制器
  • 4篇光调制
  • 4篇光调制器
  • 2篇低损耗
  • 2篇调制
  • 2篇信号
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化物
  • 2篇硬膜
  • 2篇正交幅度
  • 2篇正交幅度调制
  • 2篇蚀刻
  • 2篇收发
  • 2篇收发器
  • 2篇输入端
  • 2篇转换器
  • 2篇模转换
  • 2篇模转换器
  • 2篇晶圆

机构

  • 8篇华为技术有限...

作者

  • 8篇郑大卫
  • 4篇沈晓安
  • 4篇雷红兵
  • 4篇杨莉
  • 4篇沈晓
  • 4篇徐千帆
  • 2篇白聿生
  • 2篇郑学彦
  • 2篇潘华璞

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
叉指型光调制器
光调制器包括:硅衬底;设置在硅衬底上面的掩埋氧化物(BOX)层;以及设置在BOX层上面的脊形波导,并且该脊形波导包括第一n型硅(n‑Si)平板、耦接至第一n‑Si平板的第一栅极氧化物层、耦接至第一栅极氧化物层的第一p型硅...
郑大卫雷红兵徐千帆沈晓安白聿生
文献传递
用于生成可编程n正交幅度调制的数字光调制器
一种光收发器,包括:光信号输入端;第一调制段,耦合至所述光信号输入端;第二调制段,耦合至所述光信号输入端,并且和所述第一调制段串联,其中,所述第一调制段包括:第一数字电信号输入端;第一数字驱动器,耦合至所述第一数字电信号...
郑学彦郑大卫沈晓摩根·陈雷红兵
文献传递
在绝缘体上硅(SOI)平台上实现热效率
一种用于制造光子集成电路(photonic integrated circuit,PIC)的方法包括:设置绝缘体上硅(silicon‑on‑issulator,SOI)晶圆,其中,所述SOI晶圆包括设置在基半导体层和SO...
郑大卫葛毅杨莉沈晓
用于生成可编程n正交幅度调制的数字光调制器
一种光收发器,包括:光信号输入端;第一调制段,耦合至所述光信号输入端;第二调制段,耦合至所述光信号输入端,并且和所述第一调制段串联,其中,所述第一调制段包括:第一数字电信号输入端;第一数字驱动器,耦合至所述第一数字电信号...
郑学彦郑大卫沈晓摩根·陈雷红兵
文献传递
低损耗模转换器及其制作方法
一种装置,包括:基底,所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)材料;硅波导,所述硅波导包括第一绝热锥形,并且被封闭在所述二氧化硅材料中;以及低折射率波导,所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻...
杨莉潘华璞徐千帆郑大卫沈晓安
文献传递
用于低损耗模转换器的倒锥波导
一种装置,包括:基底,所述基底包括设置在其顶部的二氧化硅(SiO<Sub>2</Sub>)材料;硅波导,所述硅波导包括第一绝热锥形,并且被封闭在所述二氧化硅材料中;以及低折射率波导,所述低折射率波导设置在所述基底顶部并邻...
杨莉潘华璞徐千帆郑大卫沈晓安
文献传递
制造光子集成电路的方法、光子集成电路及装置
一种用于制造光子集成电路(photonic integrated circuit,PIC)的方法包括:设置绝缘体上硅(silicon‑on‑issulator,SOI)晶圆,其中,所述SOI晶圆包括设置在基半导体层和SO...
郑大卫葛毅杨莉沈晓
文献传递
叉指型光调制器
光调制器包括:硅衬底;设置在硅衬底上面的掩埋氧化物(BOX)层;以及设置在BOX层上面的脊形波导,并且该脊形波导包括第一n型硅(n‑Si)平板、耦接至第一n‑Si平板的第一栅极氧化物层、耦接至第一栅极氧化物层的第一p型硅...
郑大卫雷红兵徐千帆沈晓安白聿生
文献传递
共1页<1>
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