杨鹏
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省科技计划项目中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 一种量子干涉器件结构及其制备方法
- 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电...
- 王浩敏谢红李蕾王慧山杨鹏谢晓明江绵恒
- 文献传递
- 具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
- 2016年
- 层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。
- 李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏
- 关键词：石墨烯电学特性
- 化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼被引量：3
- 2017年
- 六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维半导体材料的基底对其下方衬底表面悬挂键及电荷的屏蔽效果有限,多层h-BN可以提高屏蔽效果.本文通过化学气相沉积法,采用生长-刻蚀-再生长的方案在铜镍合金衬底上成功制备得到多层h-BN晶畴,刻蚀过程使铜镍合金重新漏出,显著提高了下一阶段生长过程中多层h-BN的外延生长速率,通过该方案得到三角形状的多层h-BN晶畴尺寸可达10~20mm.同时,使用扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、拉曼光谱、透射电子显微镜等一系列测试手段对多层h-BN表面形貌、化学成分及微观结构做了进一步表征.结果表明,h-BN中B 1s和N 1s的电子能谱峰值分别为190.4和397.8 e V,并且B和N两种元素的含量比为1.02:1;多层h-BN的拉曼光谱峰值位移在1365 cm^(-1),半高峰宽为18 cm^(-1);选区电子衍射结果说明,多层h-BN层间具有严格的AA′堆垛且每一层h-BN都具有相同的晶格取向.所有表征结果说明本文所得的多层h-BN单晶具有较好的晶体质量.
- 杨鹏吴天如王浩敏卢光远邓联文黄生祥
- 关键词：六方氮化硼化学气相沉积铜镍合金刻蚀
- 一种量子干涉器件结构及其制备方法
- 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电...
- 王浩敏谢红李蕾王慧山杨鹏谢晓明江绵恒
- 文献传递
- 亚微米球形ZrO_2颗粒材料的水热法合成及表征被引量：1
- 2017年
- 以Zr(NO_3)_4·5H_2O和CO(NH_2)_2为原料,乙醇为溶剂,通过水热法合成亚微米级球形ZrO_2颗粒;用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、热重-差热分析仪(TGA-DTA)、紫外-可见光吸收光谱仪(UVVis)对ZrO_2颗粒进行分析表征,研究工艺条件对球形ZrO_2颗粒尺寸和形貌的影响。结果表明:通过水热法合成的球形ZrO_2颗粒粒径分布较窄,添加适量的表面活性剂、无机盐溶液及水对产物的尺寸与形貌具有一定的影响;添加适量水可获得粒径分布更窄的球形ZrO_2颗粒,且热处理对球形ZrO_2颗粒的粒径大小和形状影响不大。
- 王进新夏辉周克省邓联文刘胜贺龙辉贺君杨鹏
- 关键词：水热法二氧化锆球形颗粒
