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朱翊

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电学
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 3篇源区
  • 3篇隧穿
  • 3篇隧穿电流
  • 3篇沟道
  • 3篇反相器
  • 3篇GASB
  • 2篇电流
  • 2篇电学特性
  • 2篇淀积
  • 2篇重掺杂
  • 2篇埋层
  • 2篇介质层
  • 2篇互补型
  • 2篇SI
  • 2篇INAS
  • 2篇掺杂

机构

  • 11篇西安电子科技...

作者

  • 11篇朱翊
  • 10篇吕红亮
  • 8篇张玉明
  • 4篇李苗
  • 1篇于昕
  • 1篇郭燕芳

年份

  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器
本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明...
吕红亮孟凡康芦宾张玉明吕智军朱翊
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一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；在SiO<Sub>2</Sub>层上淀积Si<Sub>3</Sub>N<S...
吕红亮朱翊芦宾吕智军赵鹰翔孟凡康
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一种适用于平面工艺的新型InAs-GaSb TFET
本发明涉及一种适用于平面工艺的新型InAs‑GaSb TFET，包括衬底；源区，设置在所述衬底上；第一漏区，设置在所述衬底上，且位于所述源区中；沟道层，设置在所述源区上；第二漏区，设置在所述第一漏区上；栅介质层，设置在所...
吕红亮吕智军孙佳乐朱翊李苗张玉明
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一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器
本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明...
吕红亮孟凡康芦宾张玉明吕智军朱翊
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一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种新型平面InAs/Si异质隧穿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；在SiO<Sub>2</Sub>层上淀积Si<Sub>3</Sub>N<S...
吕红亮朱翊芦宾吕智军赵鹰翔孟凡康
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基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于InAs/GaSb异质结的量子阱隧穿场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：选取GaSb衬底；在GaSb衬底内形成漏区；在GaSb衬底内形成源区；对包括源区和漏区的整个GaSb衬底表面进行快速热退火，...
吕红亮李苗吕智军芦宾朱翊张玉明
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基于N型InAs-GaSb/P型Ge-Si结构的反相器及其制备方法
本发明公开了一种基于N型InAs‑GaSb/P型Ge‑Si结构的反相器及其制备方法，反相器包括：第一Si层；位于第一Si层上的氧化层；分别位于氧化层上的P型Ge‑Si结构和N型InAs‑GaSb结构；在P型Ge‑Si结构...
吕红亮刘俊秀吕智军朱翊孙佳乐张玉明
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基于沟道掺杂调控的隧穿晶体管的三态反相器及制备方法
本发明提供的一种基于沟道掺杂调控的隧穿晶体管的三态反相器的制备方法以及制备出的反相器，在隧穿机理上采用线隧穿与面隧穿结合的方式制备新型三态CTFET；本发明栅极采用Overlap结构，使得三态CTFET相比于传统的CFE...
吕红亮赵孟青朱翊吕智军孙佳乐张玉明
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一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括步骤：在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)；利用外延层转印技术在所述第一衬底(101...
吕红亮李苗朱翊吕智军芦宾张玉明
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一种利用眼球追踪控制的轮椅
本实用新型公开了一种利用眼球追踪控制的轮椅，包括轮椅底座，及设在轮椅底座上的轮椅主体和轮椅底座下方的驱动轮和万向轮，所述轮椅主体上设有通过支架支撑的显示屏和眼球追踪定位系统，轮椅主体上设有与显示屏和眼球追踪定位系统相连的...
马璁朱翊于昕郭燕芳耿静妍
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