高攀
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：长安大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金西安市科技计划项目国家级大学生创新创业训练计划更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程自动化与计算机技术更多>>
- 滞洪区路堤沉降变形及稳定性研究
- 随着我国高速公路的飞速发展、交通量的不断增加以及完善国家路网的总体规划要求，使得越来越多的高速公路选址需要跨越滞洪区，但由于滞洪区土体特殊的历史成因和工程特性，如何在满足地基承载力的同时，减小路基沉降变形是滞洪区内高速公...
- 高攀
- 关键词：道路工程稳定性有限元分析三维模型沉降观测
- SiC SBD基温度传感器灵敏度影响因素的研究被引量：1
- 2018年
- SiC基温度传感器由于可以实现比Si基温度传感器高得多的工作温度而备受重视。从理论和实验两方面研究影响SiC SBD基温度传感器灵敏度的因素。基于热电子发射理论的解析模型表明影响温度传感器灵敏度的因素主要是理想因子。采用Spice仿真不同偏置电流下SiC SBD的V-T关系,结果表明灵敏度随着正向电流的减小而增大并且线性度良好。采用10 mA的恒流源偏置电路测试了三个厂商的SiC SBD的V-T特性,结果发现三种SiC SBD测温上限均高于400℃,并且线性度较好,灵敏度均接近1.5 m V/℃。最后对提高SiC SBD基温度传感器的灵敏度提出了优化设计方案。
- 高攀杨小艳张林
- 关键词：肖特基势垒二极管偏置电路灵敏度
- SiC器件电学特性及在高温电子领域的应用研究
- 科学技术的发展对电子产品的性能要求越来越高，传统的Si材料由于受到材料特性的限制已逐渐不能满足要求，SiC材料由于具有禁带宽度大、热导率高等优点，用其研制的电子器件不仅性能更优良，而且可以应用在高温等恶劣环境中。本文对S...
- 高攀
- 关键词：碳化硅MOSFET器件驱动电路电学特性
- 一种横向沟槽结构的同位素电池
- 本实用新型公开了一种横向沟槽结构的同位素电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本实用新型采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所...
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- 文献传递
- 一种高输出功率的横向埋层结构微型核电池
- 本实用新型公开了一种高输出功率的横向埋层结构微型核电池，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，提高集成度和实用性，本实用新型的电池所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的SiC衬底、第一N型SiC外延层、P型SiC外延...
- 谷文萍高攀胡笑钏张林
- 文献传递
- SiC SBD与MOSFET温度传感器的特性
- 2017年
- 对SiC肖特基势垒二极管(SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)温度传感器进行了理论分析与测试。基于器件的工作原理,分析了影响传感器灵敏度的因素,SiC SBD温度传感器的灵敏度主要受理想因子的影响,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度主要受栅氧化层厚度等因素的影响。仿真结果表明,SiC MOSFET温度传感器的灵敏度随偏置电流下降或者栅氧化层厚度增加而上升。实测结果表明,两种传感器的最高工作温度均超过400℃,其中SiC SBD温度传感器在较宽的温度范围实现了更好的线性度,而SiC MOSFET温度传感器的灵敏度更高。研究结果表明,SiC MOSFET作为高温温度传感器具有灵敏度高和设计灵活度高等方面的显著优势。
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- 关键词：温度传感器
