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杨旭东
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18
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供职机构:
济南市半导体元件实验所
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合作作者
刘贵庆
济南市半导体元件实验所
伊新兵
济南市半导体元件实验所
李东华
济南市半导体元件实验所
王婷
济南市半导体元件实验所
马捷
济南市半导体元件实验所
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一种金属钼材料的表面改性方法
本申请提供了一种金属钼材料的表面改性方法,包括以下依次进行的步骤:电解除油、化学除油、一次刻蚀处理、二次刻蚀处理、活化、电镀镍、热处理;本申请中金属钼材料与镀镍层的结合力强度好、镀镍层应力低、镀镍层厚度一致性好、镀镍层浸...
刘贵庆
张振兴
李东华
相裕兵
伊新兵
杨旭东
文献传递
用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
本申请提供了一种用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳,包括陶瓷基座,金属环框,金属盖板,下埋层金属化层,上埋层金属化层,表面金属化层,8个引脚,8个内通孔金属化柱,8个外凹槽金属化层;本申请还提供一种上...
刘贵庆
杨旭东
许为新
张振兴
相裕兵
伊新兵
一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法
本发明公开了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳,包括金属底板、金属墙体、玻璃陶瓷复合型绝缘子、金属密封环、引出电极、焊接部位金属化层;本发明提供了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子,兼具了玻璃绝缘子与陶瓷绝缘子的优点,通过合理地设计...
杨旭东
李东华
相裕兵
王婷
刘贵庆
文献传递
一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳及其制备方法
本发明公开了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳,包括金属底板、金属墙体、玻璃陶瓷复合型绝缘子、金属密封环、引出电极、焊接部位金属化层;本发明提供了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子,兼具了玻璃绝缘子与陶瓷绝缘子的优点,通过合理地设计...
杨旭东
李东华
相裕兵
王婷
刘贵庆
封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
本申请提供了封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳,包括陶瓷基座,金属环框,金属盖板,下埋层金属化层,上埋层金属化层,表面金属化层,8个引脚,8个内通孔金属化柱,8个外凹槽金属化层;通过多层陶瓷与多层金属化及...
杨旭东
许为新
张振兴
伊新兵
相裕兵
文献传递
高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺
本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺,二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线,所述外壳是陶瓷外壳,芯片焊接于陶瓷外壳的内底面,芯片的两侧各设有一导带,...
许为新
杨旭东
李东华
马捷
用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
本申请提供了一种用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳,包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽...
杨旭东
王迎春
宋树良
张振兴
刘贵庆
相裕兵
伊新兵
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一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳
本实用新型公开了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子封装外壳,包括金属底板、金属墙体、玻璃陶瓷复合型绝缘子、金属密封环、引出电极、焊接部位金属化层;本实用新型提供了一种玻璃陶瓷复合型绝缘子,兼具了玻璃绝缘子与陶瓷绝缘子的优点,通过合...
杨旭东
王婷
相裕兵
李东华
刘贵庆
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高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺
本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺,二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线,所述外壳是陶瓷外壳,芯片焊接于陶瓷外壳的内底面,芯片的两侧各设有一导带,...
许为新
杨旭东
李东华
马捷
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封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
本申请提供了封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳,包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽金属化层...
朱坤存
杨旭东
宋树良
王迎春
张振兴
刘贵庆
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