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吕建梅

作品数：27 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信

主题

  • 24篇半导体
  • 18篇场效应
  • 16篇场效应管
  • 14篇多数载流子
  • 14篇氧化物半导体
  • 14篇载流子
  • 14篇金属氧化物半...
  • 13篇带隙
  • 13篇宽带隙
  • 11篇宽带隙半导体
  • 10篇多晶
  • 10篇多晶硅
  • 10篇半绝缘
  • 10篇半绝缘多晶硅
  • 8篇金属氧化物半...
  • 8篇击穿电压
  • 7篇导体
  • 6篇漂移区
  • 6篇禁带
  • 6篇晶体管

机构

  • 27篇西安电子科技...

作者

  • 27篇吕建梅
  • 26篇杨银堂
  • 26篇段宝兴
  • 19篇曹震
  • 10篇袁嵩
  • 4篇杨鑫
  • 2篇张琛
  • 2篇董自明

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2016
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要的特征是在器件漂移区的侧壁形成SIPOS填充层，SIPOS填充层两端分别连接器件的栅漏两端。一方面，由于SIP...
段宝兴曹震师通通吕建梅袁嵩杨银堂
一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有宽带隙衬底材料的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型宽带隙...
段宝兴吕建梅曹震袁嵩杨银堂
一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有宽带隙材料与硅材料复合垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该VDMOS器件主要特点是将宽带隙材料与硅材料相结合，在宽带隙N+型衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型宽带隙外延层，再以该N型...
段宝兴吕建梅袁嵩曹震杨银堂
一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管
本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管(VDMOS)，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High ...
段宝兴张琛袁嵩吕建梅赵逸涵杨银堂
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具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法。该IGBT器件的主要特点是将宽带隙半导体材料与硅半导体材料相结合，使用宽带隙半导体材料作为IGBT器件的阳极和衬底。先在宽带隙半导体材料...
段宝兴孙李诚吕建梅杨鑫杨银堂
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一种具有变K介质折叠横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有变K介质折叠横向双扩散金属氧化物半导体场效应管。利用器件漂移区与场板之间的变K介质层对器件漂移区表面的电场进行调制优化，由于在不同介质处介电常数存在差异产生新的电场峰，新的电场峰对器件漂移区表面的电场...
曹震段宝兴吕建梅杨银堂
具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法，该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结，先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高...
段宝兴孙李诚吕建梅杨鑫杨银堂
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一种具有复合介质层宽带隙半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有复合介质层(Composite Dielectric Layer，CDL)宽带隙纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法，该器件主要是在器件栅电极下方漂移区侧壁形成半绝缘多晶硅层(...
段宝兴曹震吕建梅师通通杨银堂
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一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管
本发明提出了一种具有体电场调制的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LDMOS)，该LDMOS器件主要特点是在器件漏端的下方通过异质外延技术形成宽禁带半导体SiC埋层。通过将漏端下方体内的高电峰场引入SiC埋层中，利用S...
段宝兴曹震吕建梅董自明师通通杨银堂
具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体衬底材料的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法。该IGBT器件的主要特点是将宽带隙半导体材料与硅半导体材料相结合，使用宽带隙半导体材料作为IGBT器件的阳极和衬底。先在宽带隙半导体材料...
段宝兴孙李诚吕建梅杨鑫杨银堂
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