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樊晓华

作品数:16 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 8篇电路
  • 5篇振荡器
  • 4篇信号
  • 4篇集成电路
  • 4篇放大器
  • 2篇电感电容振荡...
  • 2篇电流
  • 2篇压控
  • 2篇运算放大器
  • 2篇运算放大器电...
  • 2篇生长介质
  • 2篇输出缓冲器
  • 2篇锁相
  • 2篇锁相环
  • 2篇通信
  • 2篇通信系统
  • 2篇偏置
  • 2篇重掺杂
  • 2篇无线
  • 2篇无线通信

机构

  • 16篇中国科学院微...
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇南京中科微电...
  • 1篇江苏集萃智能...

作者

  • 16篇樊晓华
  • 8篇张海英
  • 4篇刘昱
  • 4篇李志强
  • 4篇黄水龙
  • 4篇武振宇
  • 2篇杜波
  • 2篇王云峰
  • 2篇侯国志
  • 2篇陈潮枢
  • 2篇魏本富
  • 2篇袁国顺
  • 2篇刘欣
  • 2篇刘明
  • 2篇王伟
  • 2篇张健
  • 2篇王明华
  • 2篇蔡青松
  • 2篇杨中
  • 1篇仇玉林

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2001
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种版图面积缩小的接收信号强度指示电路
本发明公开了一种版图面积缩小的接收信号强度指示电路,该电路包括减法器、限幅放大器链、全波整流器组、输出缓冲器和直流失调提取电路。本发明采用新的直流失调提取电路,使得整个电路的版图面积大幅减小,提高了集成度,降低了成本。本...
武振宇王云峰樊晓华黄水龙张海英
文献传递
多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法,所述多方法包括:重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长,形成多层表面隧穿结结构;重掺杂的p型或n型硅在一端互连,作为晶体管的源极,重掺杂的n型或p型硅...
王明华王伟樊晓华刘明
文献传递
混频器
本申请提供了一种混频器。该混频器包括第一混频电路和第二混频电路,输入第一混频电路的本振信号与输入第二混频电路的本振信号为正交信号,第一混频电路和/或第二混频电路包括:换向开关电路、电压校正电路与负载电路,换向开关电路包括...
杨中樊晓华蔡青松贾晓云
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一种宽锁定范围的注入锁定分频器
本发明公开了一种宽锁定范围的注入锁定分频器,包括注入晶体管、第一电感电容振荡器和第二电感电容振荡器,第一电感电容振荡器与第二电感电容振荡器的同相输出端短接;该注入晶体管的栅极接入直流电压偏置和两倍频注入信号,该注入晶体管...
刘昱张健樊晓华李志强张海英
文献传递
一种带宽可调的运算放大器电路
本发明公开了一种带宽可调的运算放大器电路,该运算放大器电路包括偏置电路、全差分运算放大器主电路和共模反馈电路,其中:偏置电路,用于为全差分运算放大器主电路和共模反馈电路提供与温度和工艺无关的稳定的偏置电流;全差分运算放大...
武振宇刘欣黄水龙樊晓华张海英
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一种宽锁定范围的注入锁定分频器
本发明公开了一种宽锁定范围的注入锁定分频器,包括注入晶体管、第一电感电容振荡器和第二电感电容振荡器,第一电感电容振荡器与第二电感电容振荡器的同相输出端短接;该注入晶体管的栅极接入直流电压偏置和两倍频注入信号,该注入晶体管...
刘昱张健樊晓华李志强张海英
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一种快速高分辨率的VCO频率校准技术被引量:1
2018年
为了在不影响校准分辨率的情况下减小压控振荡器的频率校准时间,提出了一种拥有混合校准过程的频率校准技术.该校准技术先利用相对频率比较方法来检测和减小当前频率子带与目标频率的偏移量,当频率子带靠近目标频率时,再使用频率误差检测方法获得高精度的校准分辨率.凭借着快速相对频率比较过程和高精度频率误差检测过程,压控振荡器获得2MHz校准分辨率所需的时间仅为2.77μs.与传统频率误差检测技术相比,在相同校准分辨率的情况下,该技术的校准时间减少了31%.此外,该校准技术适用于多位宽开关电容阵列的分数频率综合器.
蔡青松杨中杨中乔树山樊晓华
关键词:频率综合器
一种电流复用差分射频低噪声放大器
提出了一种的电流复用差分低噪声放大器结构.NMOS和PMOS晶体管对复用同一路静态电流.普通的电流复用差分低噪声放大器同时在NMOS管和PMOS管上采用源端电感负反馈形成输入级.在提出的这个结构中,只有PMOS晶体管是源...
樊晓华王明华张明磊梁帅
关键词:低噪声放大器电流复用互补金属氧化物半导体工艺
一种带宽可调的运算放大器电路
本发明公开了一种带宽可调的运算放大器电路,该运算放大器电路包括偏置电路、全差分运算放大器主电路和共模反馈电路,其中:偏置电路,用于为全差分运算放大器主电路和共模反馈电路提供与温度和工艺无关的稳定的偏置电流;全差分运算放大...
武振宇刘欣黄水龙樊晓华张海英
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一种版图面积缩小的接收信号强度指示电路
本发明公开了一种版图面积缩小的接收信号强度指示电路,该电路包括减法器、限幅放大器链、全波整流器组、输出缓冲器和直流失调提取电路。本发明采用新的直流失调提取电路,使得整个电路的版图面积大幅减小,提高了集成度,降低了成本。本...
武振宇王云峰樊晓华黄水龙张海英
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