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牛洁斌

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电子束直写
  • 4篇刻蚀
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇掩蔽层
  • 2篇掩模
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束刻蚀
  • 2篇刻蚀速率
  • 2篇各向异性刻蚀
  • 2篇光刻
  • 2篇反应离子
  • 2篇铬
  • 2篇出铝

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇沈健
  • 4篇殷立峰
  • 4篇牛洁斌

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种极紫外掩模的制造方法
本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形...
牛洁斌殷立峰沈健
一种极紫外掩模的制造方法
本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种极紫外掩模的制造方法。本发明首先将极紫外掩模的总版图拆分并且添加电子束光刻对准标记，在基板衬底上旋涂光刻胶后使用激光直写技术制作大面积微米尺度胶掩蔽图形和电子束光刻对准标记胶掩蔽图形...
牛洁斌殷立峰沈健
文献传递
一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法
本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影...
牛洁斌殷立峰沈健
文献传递
一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法
本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种将庞磁阻锰氧化物薄膜在纳米尺度图形化的方法。本发明首先在已经生长了庞磁阻锰氧化物薄膜的钛酸锶衬底上旋涂电子束光刻胶并烘烤，然后使用电子束直写光刻技术曝光所需纳米尺度图形版图，显影定影...
牛洁斌殷立峰沈健
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