余永林
- 作品数:11 被引量:9H指数:2
- 供职机构:湖北工业大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 准连续调谐35nm的SGDBR激光器的研制(英文)
- 2008年
- 对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激光器,通过载流子注入,器件准连续调谐范围为35nm,在调谐范围内边模抑制比大于30dB.
- 张瑞康董雷王定理张靖陈磊江山余永林
- 关键词:半导体激光器可调谐激光器
- SGDBR激光器中取样光栅的理论和实验研究被引量:2
- 2008年
- 讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在30nm准连续调谐范围内边模抑制比都大于30dB.
- 董雷张瑞康王定理张靖陈磊江山赵圣之余永林刘水华
- 关键词:取样光栅
- SGDBR型激光器的波长自动控制系统
- 2011年
- 根据取样光栅分布布拉格反射器(SGDBR)型激光器的波长调谐原理,设计出用于SGDBR型激光器的波长自动控制系统。利用该系统对自行研制的SGDBR型激光器进行了准确、快速的波长扫描,为器件的动态性能研究奠定了测试基础。
- 吕辉黄楚云徐国旺余永林黄德修舒坦江山董雷
- 关键词:波长扫描
- 集成于SG-DBR激光器模块中的SOA的热效应研究被引量:3
- 2013年
- 本文运用有限元方法,建立了集成半导体光放大器(SOA)的取样光栅分布式布拉格反射器半导体激光器(SG-DBR)的热学模型。利用该热学模型研究了模块工作时的温度特性,并重点分析了热串扰现象。运用该模型研究了集成SOA内部的热光耦合效应,模拟结果表明,由注入电流引起的热效应对输出光功率会产生明显的影响。
- 王皓韩西萌余永林
- 关键词:SOA有限元热效应
- 一种多电极有源光电器件的高速宽范围高精度程控电源
- 本发明公开了一种多电极有源光电器件的高速宽范围高精度程控电源,包括高速逻辑器件FPGA构成的数字控制单元、高速数模转换单元DAC和高速运算电压放大电路,高速数模转换单元DAC输出端与高速运算电压放大电路输入端串联连接,组...
- 吕辉吴裕斌余永林盛飞黄楚云
- 文献传递
- 可调谐半导体激光器的动态波长切换控制被引量:1
- 2011年
- 对单片集成半导体光放大器(SOA)的取样光栅分布布拉格反射型(SGDBR)激光器的动态波长控制技术进行了研究.设计的控制系统可对SGDBR激光器的前、后光栅节和相位节提供高同步精度的快速电流切换信号,使SGDBR激光器的输出波长实现ns量级的切换.同时,对SGDBR激光器动态波长切换过程中的瞬态效应进行了实验研究,在波长切换过程中精确控制SOA节驱动电流的关断时间,可以有效屏蔽SGDBR激光器在波长切换过程中出现的中间瞬态模式,从而改善SGDBR激光器的动态性能.
- 吕辉余永林黄德修舒坦
- 关键词:可调谐半导体激光器半导体光放大器控制系统动态性能
- 集成双波导半导体光放大器光开关实现波长转换的理论研究被引量:2
- 2007年
- 建立了基于集成双波导半导体光放大器的光开关(ITG-SOA-Switch)的理论分析模型.与半导体光放大器(SOA)的特性相比较表明,由于ITG-SOA-Switch合并了多种物理效应,故其静态增益饱和曲线在饱和功率点附近具有大幅度陡峭下降的独特性质.理论分析和10Gbit/s波长转换模拟结果显示,恰当地选择输入抽运光的功率范围,ITG-SOA-Switch波长转换器输出转换光的消光比特性较之输入抽运光会有显著的改善.
- 缪庆元黄德修张新亮余永林洪伟
- 关键词:波长转换半导体光放大器光开关
- 一种多电极有源光电器件的高速宽范围高精度程控电源
- 本发明公开了一种多电极有源光电器件的高速宽范围高精度程控电源,包括高速逻辑器件FPGA构成的数字控制单元、高速数模转换单元DAC和高速运算电压放大电路,高速数模转换单元DAC输出端与高速运算电压放大电路输入端串联连接,组...
- 吕辉吴裕斌余永林盛飞黄楚云
- 文献传递
- DRESOR法对二维辐射传递问题研究被引量:1
- 2008年
- 高方向辐射强度信息对一些逆问题非常有帮助,例如,在工业炉中用辐射成像技术重建二维/三维温度场.DRESOR法被发展用来在二维矩形各向同性/异性散射介质中求解辐射传递方程。用DRESOR法可以在矩形区域边界处可以计算得到辐射强度在半球立体角空间内6658个方向上的分布。用DRESOR法计算得到的无维辐射热流和有关文献用中离散坐标法、近似法及有限体积法计算得到的结果吻合得很好.从计算结果中可以观察边界上,特别是靠近发射源区域的辐射强度随方位角的变化情况.
- 程强周怀春黄志锋余永林黄德修
- 关键词:DRESOR法
- MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究
- 2008年
- 采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.
- 张瑞康董雷余永林王定理张靖陈磊江山
- 关键词:MOCVD波导