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孟凡英

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:中科院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透光率
  • 1篇缺陷态
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射压强
  • 1篇工作气压
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇非晶硅
  • 1篇费米能级
  • 1篇掺杂
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 4篇中科院上海微...
  • 1篇上海大学

作者

  • 4篇孟凡英
  • 2篇刘正新
  • 1篇宋晨辰
  • 1篇马忠权
  • 1篇赵磊
  • 1篇赵占霞
  • 1篇石建华
  • 1篇胡慧

传媒

  • 2篇第八届中国太...
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
溅射压强对Sc掺杂ZnO薄膜绒面结构的影响
2014年
采用射频磁控溅射方法,分别在0.5Pa,1.0Pa,1.5Pa以及2.0Pa的溅射压强下制备出了Sc:ZnO(SZO)薄膜,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等设备对样品的晶体结构、表面形貌及光学性质进行了表征。结果表明,当溅射压强为1.5Pa时,SZO薄膜沿平行于衬底的(100)方向择优生长,形成了织构化的表面形貌,陷光效果增强,可见光透过率达到87%,同时其光散射能力也有了显著提高。
宋晨辰赵占霞马忠权赵磊孟凡英
关键词:溅射压强光学性质
转换效率23.5%的大面积SHJ太阳电池
SHJ太阳电池研发的硅片表面形貌控制,是获得高电流和开路电压的前提和基础;异质界面缺陷态控制技术,是实现高开路电压的关键;高透光率高迁移率TCO薄膜,是实现高电流和填充因子的关键。
孟凡英
关键词:太阳电池缺陷态透光率
掺杂非晶硅费米能级对平面HIT电池性能影响的模拟研究
沈磊磊孟凡英刘正新
工作气压对反应等离子体沉积氧化铟锡(ITO)薄膜性能的影响
石建华胡慧孟凡英刘正新陆中丹崔艳峰
共1页<1>
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