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杨永民

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：西北工业大学更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇稳态响应
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇半场
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇表面态
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇西北工业大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇于春利
  • 1篇杨林安
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明
  • 1篇杨永民

传媒

  • 1篇计算物理

年份

  • 1篇2003
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响被引量：3
2003年
　分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
杨林安张义门于春利杨永民张玉明
关键词：表面态稳态响应
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共1页<1>
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