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林汉超

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：福州大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇电路
  • 3篇基本电路
  • 3篇函数
  • 3篇函数逼近
  • 3篇函数逼近器
  • 3篇复杂函数
  • 3篇高斯
  • 3篇高斯函数
  • 3篇RBF
  • 3篇MOSFET
  • 3篇MEMRIS...
  • 2篇纳米
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成度
  • 2篇仿真
  • 2篇仿真验证
  • 1篇端口
  • 1篇栅极
  • 1篇输入端
  • 1篇输入端口

机构

  • 6篇福州大学

作者

  • 6篇魏榕山
  • 6篇林汉超
  • 3篇李睿
  • 3篇张鑫刚

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于RBF的函数逼近器系统
本发明涉及一种基于RBF的函数逼近器系统。利用开平方根电路、类高斯函数产生电路以及Gilbert乘法器等基本电路单元，设计了一个基于RBF的函数逼近器系统；通过给定适当的外界偏置电压，可实现函数逼近的功能。本发明可集成为...
魏榕山林汉超刘章旺陈林城
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一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法
本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果...
魏榕山李睿林汉超张鑫刚
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基于RBF的函数逼近器系统
本发明涉及一种基于RBF的函数逼近器系统。利用开平方根电路、类高斯函数产生电路以及Gilbert乘法器等基本电路单元，设计了一个基于RBF的函数逼近器系统；通过给定适当的外界偏置电压，可实现函数逼近的功能。本发明可集成为...
魏榕山林汉超刘章旺陈林城
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一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法
本发明涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路及其实现方法。通过忆阻器（Memristor）与MOS管结合使用，使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流，发挥忆阻器阻值可变及非易失特性，达到可编程的效果...
魏榕山李睿林汉超张鑫刚
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一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路
本实用新型涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路，包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路；所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4，所述...
魏榕山李睿林汉超张鑫刚
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基于RBF的函数逼近器
本实用新型涉及一种基于RBF的函数逼近器。利用开平方根电路、类高斯函数产生电路以及Gilbert乘法器等基本电路单元，设计了一个基于RBF的函数逼近器；通过给定适当的外界偏置电压，可实现函数逼近的功能。本实用新型可集成为...
魏榕山林汉超吴司熠陈林城
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