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范晓慧
作品数:
10
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供职机构:
宁波大学
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发文基金:
浙江省教育厅科研计划
国家自然科学基金
宁波市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
邬杨波
宁波大学信息科学与工程学院
陈东旭
宁波大学
李宏
宁波大学
李婉婉
宁波大学
胡文龙
宁波大学
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一种模拟电池放电性能的方法及实现该方法的电池模拟器
本发明公开一种模拟电池放电性能的方法及实现该方法的电池模拟器,通过MCU中的内部控制器存储参考放电电压信号的n位二进制数字量并将D<Sub>n</Sub>输入到MCU的DAC模块中,DAC模块将D<Sub>n</Sub>...
周佳敏
李宏
陈炜钢
陈东旭
范晓慧
文献传递
一种高性能低漏功耗异步电路C单元
本发明公开了一种高性能低漏功耗异步电路C单元,通过设置NMOS管功控开关,应用功控技术对C单元电路进行控制,使C单元电路呈现两种模式:休眠模式和工作模式;NMOS管功控开关与PMOS上拉单元、NMOS下拉单元、信号传输门...
邬杨波
董恒锋
范晓慧
杨金龙
一种吊篮安全锁检测系统及检测方法
本发明公开了一种吊篮安全锁检测系统及检测方法,通过将平台轴接在竖梁上且受力时可以其轴接点为中心圆点在第一横梁和第二横梁之间转动,悬吊机构悬吊平台且可使平台转动或者坠落,拉线式位移传感器安装在第一横梁上,拉线式位移传感器的...
李婉婉
李宏
胡文龙
范晓慧
陈东旭
文献传递
纳米工艺下低漏功耗CMOS标准单元的设计
随着集成电路的迅速发展,CMOS超大规模集成电路(VLSI)设计工艺已进入纳米尺度,纳米MOS器件阈值电压的缩小使得芯片的漏电流呈指数形式增加,从而造成芯片漏功耗的迅速增大,漏功耗已成为芯片总功耗中不可忽略的组成部分。 ...
范晓慧
关键词:
CMOS器件
超大规模集成电路
芯片设计
一种高性能低漏功耗主从型D触发器
本发明公开了一种高性能低漏功耗主从型D触发器,特点是包括时钟信号反相器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、NMOS管功控开关、PMOS管功控开关和保持反相器,时钟信号反相器电路与主锁存器电路相连,时钟信号反相器电路与从锁存...
邬杨波
范晓慧
倪海燕
胡建平
文献传递
一种高性能低漏功耗主从型D触发器
本发明公开了一种高性能低漏功耗主从型D触发器,特点是包括时钟信号反相器电路、主锁存器电路、从锁存器电路、NMOS管功控开关、PMOS管功控开关和保持反相器,时钟信号反相器电路与主锁存器电路相连,时钟信号反相器电路与从锁存...
邬杨波
范晓慧
倪海燕
胡建平
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一种高性能低漏电流功耗异步电路C单元
本发明公开了一种高性能低漏电流功耗异步电路C单元,通过设置NMOS管功控开关,应用功控技术对C单元电路进行控制,使C单元电路呈现两种模式:休眠模式和工作模式;NMOS管功控开关与PMOS上拉单元、NMOS下拉单元、信号传...
邬杨波
董恒锋
范晓慧
杨金龙
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基于沟长偏置的近阈值逻辑漏功耗减小技术
2013年
随着集成电路芯片特征尺寸的不断缩小,减小漏功耗已成为集成电路设计技术的焦点之一.在近阈值逻辑电路中,亚阈值漏电流是其最主要漏电流的构成.根据MOS器件沟道长度与亚阈值漏电流之间的非线性关系,通过适度提高MOS器件的沟道长度从而降低CMOS逻辑电路的漏功耗,形成了基于沟长偏置的漏功耗减小技术.应用HSPICE软件对基于45nm PTM工艺参数沟长偏置为8%的基本逻辑门电路、镜像加法器和传输门加法器的漏电流进行了仿真测试,实验结果表明漏电流约下降了39%~44%.因此沟长偏置技术是一种有效的适用于近阈值逻辑的漏功耗减小技术.
范晓慧
邬杨波
倪海燕
一种吊篮安全锁检测系统及检测方法
本发明公开了一种吊篮安全锁检测系统及检测方法,通过将平台轴接在竖梁上且受力时可以其轴接点为中心圆点在第一横梁和第二横梁之间转动,悬吊机构悬吊平台且可使平台转动或者坠落,拉线式位移传感器安装在第一横梁上,拉线式位移传感器的...
李婉婉
李宏
胡文龙
范晓慧
陈东旭
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一种模拟电池放电性能的方法及实现该方法的电池模拟器
本发明公开一种模拟电池放电性能的方法及实现该方法的电池模拟器,通过MCU中的内部控制器存储参考放电电压信号的n位二进制数字量并将D<Sub>n</Sub>输入到MCU的DAC模块中,DAC模块将D<Sub>n</Sub>...
周佳敏
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