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翟旺建

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：玉林师范学院物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金：广西教育厅高等学校科研项目更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇溅射
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇掺铝氧化锌
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻器
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏电阻
  • 1篇压敏电阻器
  • 1篇烧结温度
  • 1篇室温
  • 1篇陶瓷靶材
  • 1篇透明导电
  • 1篇微结构
  • 1篇靶材

机构

  • 3篇广州大学
  • 1篇玉林师范学院

作者

  • 4篇翟旺建
  • 2篇傅刚
  • 2篇刘志宇
  • 2篇杨小妮
  • 1篇陈环

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇玉林师范学院...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响被引量：3
2012年
通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。
杨小妮傅刚陈环翟旺建刘志宇
关键词：ZNONB2O5压敏电阻
ZAO靶材及其透明导电薄膜性能的研究
近年来，Al掺杂的ZnO(ZAO)透明导电氧化物薄膜，以其价格低廉、无毒性、在氢等离子气氛中性质稳定等优势，而受到研究者的广泛关注，已经成为替代昂贵的ITO首选材料和当前透明导电薄膜领域的研究热点之一。 本文以ZnO粉末...
翟旺建
关键词：ZAO薄膜衬底温度
文献传递
掺铝氧化锌陶瓷靶材的制备及其薄膜的光学性能被引量：1
2012年
以Al(NO3)3.9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO:Al(AZO)陶瓷靶材。研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响。当Al和Zn的摩尔比为3:100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达96%,电阻率为2.5×10–2.cm。以烧结温度为1400℃的AZO陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度c轴择优取向的AZO薄膜,其可见光透过率为90%,禁带宽度为3.63 eV,电阻率为1.7×10–3.cm。
翟旺建傅刚刘志宇杨小妮
关键词：烧结温度直流磁控溅射
室温溅射掺铝氧化锌薄膜的微结构及其光学性能
2014年
以硝酸铝晶体和氧化锌粉末为原料,Al和Zn摩尔比为3:100,制备了相对密度为96%、电阻率为2.5×10-2Ω·cm的掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶材.采用直流磁控溅射法,室温条件下,在玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜.利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的微结构.薄膜晶粒尺寸大,分布均匀,可见光透过率为89.92%,光学带隙Eg为2.18 e V,Urbach能量Eu为3.9e V,折射率n随波长的增大,先减小后增大,最后趋于稳定.
翟旺建周兆彪
关键词：掺铝氧化锌室温直流磁控溅射
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