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高志强

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:哈尔滨工业大学航天学院微电子科学与技术系更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 4篇滤波器
  • 2篇带通
  • 2篇振荡器
  • 2篇CMOS
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇低相位噪声
  • 1篇电源
  • 1篇动态范围
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇有源
  • 1篇有源滤波
  • 1篇有源滤波器
  • 1篇杂散
  • 1篇噪声
  • 1篇片上电感
  • 1篇自动调谐
  • 1篇无杂散动态范...
  • 1篇相位

机构

  • 7篇哈尔滨工业大...
  • 1篇电子科技大学
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作者

  • 7篇高志强
  • 3篇叶以正
  • 3篇喻明艳
  • 1篇徐元旭
  • 1篇来逢昌
  • 1篇毛志刚
  • 1篇张东来
  • 1篇马建国
  • 1篇林之恒
  • 1篇张永来
  • 1篇侯政雄
  • 1篇任成
  • 1篇田秋霜
  • 1篇姚恩义
  • 1篇吴才锐
  • 1篇孙鹏
  • 1篇胡永双
  • 1篇曹伟

传媒

  • 4篇电子器件
  • 1篇Journa...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于SRAM编程技术的PLD核心可重构电路结构设计
2004年
CPLD相对于FPGA更适合实现时序逻辑较少而组合逻辑相对复杂的功能 ,比如复杂的状态机和译码电路等。CPLD的EEPROM编程技术不适合动态可重构的应用。本文针对CPLD的核心可编程结构 :P Term和可编程互连线 ,采用 2 5V、0 2 5 μmCMOS工艺设计了功能相近的基于SRAM编程技术的可重构电路结构。新的电路结构可以通过可编程方式有效控制功耗和速度的折衷 ,并且相对于传统的CPLD互联结构减少了 5 0 %的编程数据。在动态可重构系统中 ,采用上述新结构的PLD相对于FPGA可以更有效地实现可重构的复杂状态机和译码电路等应用。
曹伟高志强来逢昌毛志刚
关键词:CPLD可重构技术
一种超高频高Q值CMOS带通滤波器设计
2006年
介绍了一种基于Nauta跨导一电容积分器的CMOS集成滤波器设计。在滤波器设计过程中,利用改进的Nauta导具有可调增益、高线性度、宽频域特点,使滤波器可工作在UHF频段并有高品质因数Q,仿真结果表明,所设计的滤波器采用Cllarted Semiconductor Manuhcturing(CSM)0.35um CMOS工艺,工作电压为3V,Q值可达到40-100,当中心频率为433MHz,Q值为40时,无杂散动态范围(SFDR)约为61.4dB,并可通过调节电路偏压达到对中心频率ωc和Q的调谐。
高志强喻明艳叶以正
关键词:超高频无杂散动态范围
开关电源主要干扰源的抑制被引量:5
2007年
详细分析了开关电源中电磁干扰的产生机理。采用电磁干扰滤波器、功率因数校正、缓冲吸收和软开关谐振电路、调频技术等措施分别对开关电源中整流电路、开关电路、二次整流电路及其触发控制电路所产生的外部干扰源和内部干扰源进行了抑制。通过实验验证了几种方法对EMI传导的抑制效果,使电源系统达到了CISPER EN550022B的标准。
高志强张东来任成吴才锐
关键词:滤波器功率因数
一种基于CMOS工艺射频有源滤波器的设计
2008年
射频滤波器是无线通信系统的关键部件之一。本文根据射频SoC的需求,设计了一种基于Q-增强型射频有源CMOSLC型滤波器。该滤波器利用负阻抗增强电路品质因数,可有效地解决射频片上无源LC滤波器的品质因数偏低,插入损耗偏大的问题。该滤波器采用TSMC0.18umCMOS工艺,当供电电压为1.8V,中心频率在2.142GHz时,-3dB带宽仅为36MHz。仿真结果表明,该滤波器正确有效,适于全集成。
高志强喻明艳叶以正
关键词:片上电感CMOS工艺有源滤波器
A Q-Enhanced CMOS RF Filter for Multi-Band Wireless Communications
2007年
An RF bandpass filter with a Q-enhancement active inductor is presented. The design technique for a tunable Q-enhancement CMOS active inductor operating in the wide RF-band is described. Moreover,issues related to noise and stability of the active inductor are explained. The filter was fabricated in 0.18μm CMOS technolo- gy,and the circuit occupied an active area of only 150μm ×200μm. Measurement results show that the filter centered at 2. 44GHz with about 60MHz bandwidth (3dB) is tunable in center frequency from about 2.07 to 2. 44GHz. The ldB compression point is - 15dBm while consuming 10. 8mW of DC power,and a maximum quality factor of 103 is attained at the center frequency of 2.07GHz.
高志强喻明艳马建国叶以正
一种LC型CMOS射频带通滤波器及其自动调谐被引量:3
2010年
介绍了一种二阶可调谐CMOSLC型射频带通滤波器及与其匹配的压控振荡器设计。品质因数很高而且可以通过负电导发生电路调谐。目标频率由一组分立的亚波段组成,通过电容阵列来控制。仿真结果表明,滤波器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,工作电压3.3V,中心频率调谐范围为2.05Hz至2.38GHz。文中简单介绍了锁相环自动调谐系统。为了与滤波器进行匹配,振荡器是基于滤波器的原型设计的,仿真结果表明它们匹配良好。
林之恒侯政雄田秋霜张永来高志强
关键词:LC带通滤波器自动调谐振荡器
宽带低相位噪声CMOS环型压控振荡器的设计与研究被引量:1
2010年
采用一种环型电路结构,设计了一个1.3GHz宽带线性压控振荡器。采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路的仿真。结果显示,在电源电压Vdd=1.8 V时,控制电压范围为1.0~1.18 V,频率的变化范围为800 MHz~2.1 GHz,相位噪声为-105 dBc/Hz@1 MHz。很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾。
高志强孙鹏徐元旭姚恩义胡永双
关键词:CMOS压控振荡器相位噪声
共1页<1>
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