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刘升华
作品数:
10
被引量:2
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
一般工业技术
理学
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合作作者
林媛
电子科技大学微电子与固体电子学...
黄文
电子科技大学
曾慧中
电子科技大学
梁伟正
电子科技大学
曾波
电子科技大学
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刘升华
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电子科技大学...
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2011
1篇
2009
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一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法
本发明涉及一种通过控制水解程度影响碳纳米管生长形貌的方法,包括如下步骤:步骤1:制备含铁离子的前驱液薄膜;步骤2:将附着有前驱液薄膜的基片在恒温烘箱中烘烤一定时间直至烘干;步骤3:将烘干后的基片放入管式炉的恒温区,进行退...
林媛
刘升华
赵小伟
曾慧中
黄文
潘泰松
文献传递
一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法
本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液,通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱液薄膜并放入恒温箱中烘干;步骤2:将...
高敏
曾波
刘升华
林媛
黄振龙
一种氧化锌纳米线阵列的制备方法
一种氧化锌纳米线阵列的制备方法,属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜;然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面,在60~9...
林媛
南天翔
曾慧中
黄文
梁伟正
刘升华
文献传递
一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层,然后将镍基片取出清洗并风干;步骤2:将预先配置好的相应的氧化物高分子...
林媛
梁伟正
曾慧中
黄文
吉彦达
刘升华
黄江
文献传递
多壁碳纳米管的生长、掺杂及其相关应用的研究
碳纳米管(CNTs)作为纳米材料学的研究热点,无论在CNT阵列的可控制备还是其掺杂改性后的功能化应用上都引起了研究者的广泛关注。就目前而言,如何控制CNTs生长所需催化剂的颗粒形貌以得到高质量的CNTs阵列,以及对氮掺杂...
刘升华
关键词:
碳纳米管
氮掺杂
文献传递
高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜
被引量:2
2009年
高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。
林媛
杨丹丹
代超
刘升华
LUO H M
JIA Q X
关键词:
氧化物薄膜
一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法
本发明涉及一种在砷化镓基片上外延生长钛酸锶薄膜的方法。包括如下步骤:步骤1:对GaAs基片做表面处理形成原子级平整的Ga原子为终结面的清洁表面;步骤2:将步骤1处理后的GaAs基片和STO靶材送入并固定在激光分子束外延设...
黄文
郝建华
吴真平
林媛
曾慧中
张胤
杜辉
刘升华
文献传递
一种氧化锌纳米线阵列的制备方法
一种氧化锌纳米线阵列的制备方法,属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜;然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面,在60~9...
林媛
南天翔
曾慧中
黄文
梁伟正
刘升华
一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法
本发明涉及一种在基片上制备碳纳米管-多层石墨复合结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:通过溶胶凝胶法配置含铁的前驱溶液,通过旋涂的方法将前驱溶液均匀的涂布在基片上制得含铁的前驱液薄膜并放入恒温箱中烘干;步骤2:将...
高敏
曾波
刘升华
林媛
黄振龙
文献传递
一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层,然后将镍基片取出清洗并风干;步骤2:将预先配置好的相应的氧化物高分子...
林媛
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