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廖家科

作品数：14 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：交通运输工程建筑科学一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇建筑科学
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇多孔硅
  • 5篇电极
  • 5篇光电
  • 4篇振动
  • 4篇微桥结构
  • 4篇耐受
  • 4篇金属
  • 4篇焦平面
  • 4篇红外
  • 4篇红外焦平面
  • 3篇探测器
  • 3篇纳米
  • 3篇金属电极
  • 3篇化学镀
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇硅表面
  • 2篇电极制备
  • 2篇修饰
  • 2篇酸溶液

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇廖家科
  • 12篇蒋亚东
  • 12篇李伟
  • 7篇郭安然
  • 6篇吕小龙
  • 4篇王冲
  • 4篇王军
  • 2篇陈旭
  • 2篇余峰
  • 2篇余锋
  • 2篇王垠
  • 2篇钟豪
  • 2篇程旭
  • 1篇余峰
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法
本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进...
李伟余峰王垠廖家科郭安然蒋亚东
文献传递
一种微纳多孔硅材料的制备方法
一种微纳多孔硅材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。此方法是为了解决以下问题：传统工艺制备而成的多孔硅表面形貌单一，在吸光、提高光电流增益、延伸光谱响应等特性上有待提高。本发明结合电化学腐蚀法与金属催化刻蚀...
李伟廖家科吕小龙钟豪蒋亚东
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一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法
本发明公开了一种基于金属钌修饰的多孔硅表面金属电极制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①对多孔硅进行金属修饰前处理；②使用氯化钌的酸溶液修饰多孔硅；③对金属钌修饰后的多孔硅进行干燥处理；④在金属...
李伟余锋廖家科郭安然王冲蒋亚东
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微纳结构硅的制备及器件化应用研究
硅是极为常见的一种元素，然而它极少以单质形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅的含量巨大且提纯难度不高，以硅为基础的半导体器件成为主流半导体器件。光探测及光伏领域对近红外...
廖家科
关键词：电化学腐蚀纳米多孔结构PIN光电探测器
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一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法
本发明公开了一种用改进化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极的方法，涉及半导体光电子材料与器件技术领域，其包括以下步骤：①多孔硅表面化学镀前处理；②采用化学镀工艺；③对含金属电极的多孔硅进行干燥处理；④对含金属电极的多孔硅进...
李伟余峰王垠廖家科郭安然蒋亚东
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一种耐受振动和冲击的双层红外焦平面微桥结构
本发明公开了一种耐受振动和冲击的双层红外焦平面微桥结构，涉及非制冷红外焦平面技术领域，其包括L型桥腿和基于热敏薄膜层的复合桥面，L型桥腿与复合桥面刻蚀连接，以及外围固定框、位于L型桥腿拐角处的连接短桥腿、位于微桥结构中部...
李伟吕小龙廖家科陈旭王军蒋亚东
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一种耐受振动和冲击的红外焦平面微桥结构
本发明公开了一种耐受振动和冲击的红外焦平面微桥结构，涉及非制冷红外焦平面技术领域，其包括L型桥腿和桥面，L型桥腿与桥面刻蚀连接，还包括外围固定框、位于L型桥腿拐角处的连接桥腿，所述L型桥腿经连接桥腿与外围固定框连接；外围...
李伟吕小龙程旭廖家科王军蒋亚东
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一种背照式Si-PIN光电探测器的制备方法
本发明公开了一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，其涉及光电探测技术领域中的光电探测器件结构，该光电探测器包括I型衬底1、P区2、P+区3、纳米微结构硅层N区4及上下电极，所述电极包括位于P区2和P+区3上的上端...
李伟郭安然渠叶君廖家科王冲蒋亚东
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一种微纳多孔硅材料的制备方法
一种微纳多孔硅材料的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。此方法是为了解决以下问题：传统工艺制备而成的多孔硅表面形貌单一，在吸光、提高光电流增益、延伸光谱响应等特性上有待提高。本发明结合电化学腐蚀法与金属催化刻蚀...
李伟廖家科吕小龙钟豪蒋亚东
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一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，其涉及光电探测技术领域中的光电探测器件结构，该光电探测器包括I型衬底1、P区2、P+区3、纳米微结构硅层N区4及上下电极，所述电极包括位于P区2和P+区3上的上端...
李伟郭安然渠叶君廖家科王冲蒋亚东
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