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一种铝碳化硅封装外壳的封接方法: 本发明属于金属材料领域，提供了一种铝碳化硅复合材料(SiC<Sub>p</Sub>/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发...; 吴茂何新波曲选辉孟菲菲任淑彬; 文献传递

SnAgNi钎料钎焊Ni镀层SiC_p/Al复合材料的接头微观结构及剪切性能被引量：1: 2009年; 采用Sn-2·5Ag-2·0Ni焊料钎焊了具有Ni(P)/Ni(B)和Ni(P)/Ni两种双镀层结构的SiCp/Al复合材料.结果表明,SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)和SnAgNi/Ni/Ni(P)两种接头均生成唯一的金属间化合物Ni3Sn4.SnAgNi焊料与Ni(B)镀层之间的快速反应速度使Ni3Sn4金属间化合物具有高的生长速度.时效初期的SnAgNi/Ni/Ni(P)接头的剪切强度高于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头,但在250h时效后其剪切强度剧烈下降,低于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头.金属间化合物的生长及裂纹的形成是SnAgNi/Ni/Ni(P)接头失效的主要原因,而SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头失效的主要原因是Ni(P)镀层中Ni原子的定向扩散使SiCp/Al复合材料与Ni(P)处产生孔洞.; 吴茂何新波孟菲菲曲选辉; 关键词：焊料金属间化合物时效处理

磷含量对Sn-2.5Ag-2.0Ni/Ni(P)钎焊接头组织及剪切强度的影响被引量：7: 2009年; 采用Sn-2.5Ag-2.0Ni焊料钎焊两种化学镀Ni(P)后的SiCp/Al复合材料。由于P含量的不同,SnAgNi焊料与Ni(P)镀层之间生成了两种不同的微观结构。SnAgNi/Ni(5%P)接头中致密的Ni3Sn4金属间化合物(IMC)层导致了较低的Ni扩散速度和Ni3Sn4生长速度。而SnAgNi/Ni(10%P)焊料接头中疏松的Ni3Sn4化合物使Ni具有较高的扩散速度,从而导致较高的Ni3Sn4生长速度,这也影响了接头的剪切强度。前者的断裂主要是由Ni3Sn4化合物的生长和微裂纹的生成造成的,而后者主要是Ni向焊料中扩散使得基体和镀层之间形成了孔洞,从而导致SiCp/Al复合材料与Ni(P)镀层结合力的迅速降低。; 吴茂何新波孟菲菲曲选辉; 关键词：金属间化合物时效 SICP/AL复合材料

一种铝碳化硅封装外壳的封接方法: 本发明属于金属材料领域，提供了一种铝碳化硅复合材料(SiC<Sub>p</Sub>/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发...; 吴茂何新波曲选辉孟菲菲任淑彬; 文献传递

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孟菲菲