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纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管: 本发明公开一种纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管，包括：半导体基底、间隔形成于半导体基底上的栅电极和栅绝缘层、间隔形成于栅绝缘层上的源电极和漏电极、以及形成于栅绝缘层上且位于源电极和漏电极之间的有源层，有源层包括至少二层...; 赵灵智姜如青

纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管: 本发明公开一种纳米锡化物多有源层结构高性能晶体管，包括：半导体基底、间隔形成于半导体基底上的栅电极和栅绝缘层、间隔形成于栅绝缘层上的源电极和漏电极、以及形成于栅绝缘层上且位于源电极和漏电极之间的有源层，有源层包括至少二层...; 赵灵智姜如青; 文献传递

一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管: 本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒...; 赵灵智刘咏梅姜如青李仕杰; 文献传递

SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究: 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 - 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 - 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.; 刘咏梅赵灵智姜如青覃坤南; 关键词：SNS 第一性原理计算电子结构光学性质

一种均匀光学反射方法及圆形LED光源设计方法: 本发明公开了一种均匀光学反射方法及圆形LED光源设计方法,设定一个曲面反射面和平面出光面，并在曲面反射面和平面出光面之间设置LED光源，通过曲面反射面、LED光源和平面出光面的位置关系设置使得所述LED光源发出的光经曲面...; 孙慧卿杨敏孙浩李旭娜郑欢蔡金鑫赵灵智姜如青欧阳剑; 文献传递

In、Ga掺杂SnO2的第一性原理研究被引量：7: 2017年; 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了本征SnO_2、SnO_2∶In、SnO_2∶Ga和SnO_2∶(In,Ga)超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算.结果显示,与SnO_2∶In和SnO_2∶Ga相比,SnO_2∶(In,Ga)的晶格常数更接近于本征SnO_2,可有效降低SnO_2材料掺杂体系的晶格畸变.SnO_2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值,且能带结构向高能方向移动,材料呈现典型的p型半导体特性.SnO_2∶(In,Ga)中,In与Ga掺杂原子和O原子的电子云呈现出共价键特性.光学性能表明,SnO_2∶(In,Ga)晶体中,光子能量在0~2.45 e V和大于6.27 e V的范围内表现出良好的介电性能,在微型微电子传感器机械系统器件和高密度信息存储等方面具有良好的应用前景.SnO_2∶(In,Ga)在可见光范围内具有10~5cm^(-1)数量级的吸收系数,能够强烈地吸收光能,在光电器件的吸收材料中具有潜在的应用前景.; 姜如青欧阳剑杨辉郑树文赵灵智宿世臣; 关键词：共掺杂第一性原理电子结构光学性质

一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管: 本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒...; 赵灵智刘咏梅姜如青李仕杰; 文献传递

SnO_2薄膜与n-SnO_2/p-Si异质结光电特性的研究: 2014年; 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化,对其能带结构进行了模拟计算.结果显示,导带底和价带顶位于G点处,表明SnO2是一种直接带隙半导体.同时,采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结.扫描电镜结果表明,SnO2薄膜晶粒均匀.霍尔测试结果表明,SnO2薄膜载流子浓度高达1.39×1 020 cm-3.吸收谱测试表明,SnO2薄膜光学带隙为3.73 eV.n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性.; 刘咏梅赵灵智姜如青邢瑞林; 关键词：脉冲激光沉积法光电性质

掺杂二氧化锡的第一性原理计算及器件性能研究: 目前，宽带隙二氧化锡透明导电薄膜，因具有一系列独特的光电性能，如可见光透光性好、制备温度低、化学性能稳定、电子饱和漂移速度快以及室温下抗腐蚀能力强等优点，被广泛的研究和应用于液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED...; 姜如青; 关键词：半导体材料二氧化锡第一性原理计算电子结构光电性能

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姜如青