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杨帆

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇退火
  • 2篇施主
  • 2篇晶片
  • 2篇功能材料
  • 2篇复合功能材料
  • 1篇电路
  • 1篇电路集成
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇锗硅
  • 1篇上光
  • 1篇退火处理
  • 1篇退火过程
  • 1篇退火热处理
  • 1篇退火温度
  • 1篇起泡
  • 1篇起泡现象
  • 1篇迁移率
  • 1篇离子注入
  • 1篇面粗糙度

机构

  • 5篇中国科学院微...
  • 2篇上海理工大学

作者

  • 5篇张轩雄
  • 5篇杨帆

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
锗中注入H离子退火后起泡动力学研究
研究了锗片中注入H离子退火后表面起泡的现象，得到了对应不同退火温度下不同起泡时间的动力学曲线图以及相应的激活能。在不同的温度区间，激活能并不相同。对于锗，低温段的激活能低于高温段的激活能，这和其他材料有明显不同。我们认为...
杨帆张轩雄叶甜春庄松林
关键词：半导体集成电路退火温度激活能
绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法
本发明公开了一种绝缘体上锗硅混合型衬底的制备方法，包括：在GeOI材料的Ge面涂上光刻胶，并进行光刻；光刻之后进行坚膜，然后刻蚀掉部分Ge及对应的绝缘层；去除光刻胶，然后外延生长一层Si膜；去除Ge表面生长的Si膜；后续...
张轩雄杨帆
文献传递
Smart-cut方法制备GeOI材料的Ge表面腐蚀研究
2015年
通过H离子注入Ge晶圆退火起泡动力学研究,对实现晶圆Ge在氧化硅上层转移后的Ge表面(Ge OI)采用湿法化学腐蚀研究,使其能进一步改善表面质量(即粗糙度),同时去除由于H离子注入Ge所造成的表面非晶层。通过氨水、H2O2、去离子水混合溶液在室温下对被转移Ge层腐蚀,采用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)检测。实验证实,湿法化学腐蚀方法能显著降低表面粗糙度,并去除制备Ge OI过程中所造成的非晶层,从而得到晶格质量完好的表面。
邓海量杨帆张轩雄
形成复合功能材料结构的方法
本发明公开了一种形成复合功能材料结构的方法。该方法包括：步骤A，高能量离子注入于施主晶片表层，在离子注入投影射程位置形成脆弱区，其中，离子注入的能量介于60KeV至500KeV之间；步骤B，将施主晶片和衬底晶片进行键合，...
张轩雄杨帆
文献传递
一种形成复合功能材料结构的方法
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种形成复合功能材料结构的方法。所述方法，包括如下步骤：注入原子种类作用于施主晶片，在离子注入投影射程周围形成脆弱区；将施主晶片和衬底晶片进行键合；对键合后的结构在低真空下进行两步退火热...
张轩雄杨帆
文献传递
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