李栋良
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
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- 500V体硅N-LDMOS器件终端技术的研究
- 借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4 和Medici，对耐压500V的体硅N-LDMOS 器件进行详细模拟。在模拟过程中，综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场，分析了场限环的长度，注入剂量...
- 李栋良张景超刘利峰
- 关键词：场极板
- 文献传递
- 半导体器件的离子注入方法
- 本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻挡网，阻挡网贴附在硅片表面，离子注入机向硅片表面注入离子，阻挡网的网丝阻挡了离子向硅片表面的注入，离子只能经阻挡网的网孔...
- 刘利峰张景超李栋良赵善麒
- 文献传递
- 基于TCP/IP的MMS互联研究与实现
- 李栋良
- 500V体硅N-LDMOS器件终端技术的研究
- 借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参...
- 李栋良张景超刘利峰
- 关键词：场极板体硅
- 文献传递
- 紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文)
- 2007年
- 在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。
- 王乐刘力宇张浩康樊路嘉张鲁川杨勇黄瑞坤周昕杰李栋良张平
- 关键词：紫外可见吸收光谱LAW
- 半导体器件的离子注入方法
- 本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻挡网，阻挡网贴附在硅片表面，离子注入机向硅片表面注入离子，阻挡网的网丝阻挡了离子向硅片表面的注入，离子只能经阻挡网的网孔...
- 刘利峰张景超李栋良赵善麒
- 文献传递
- 500V的体硅N-LDMOS器件研究
- 集成电路行业的迅速发展,带动了以大功率半导体器件为代表的电力电子技术迅速发展,功率电子器件的应用领域不断扩大。功率MOSFET由于其开关速度快,安全工作区稳定,其应用领域十分广泛,其典型代表是LDMOSFET。体硅高压L...
- 李栋良
- 关键词：高压集成电路击穿电压LDMOS大功率半导体器件
- 文献传递
- 500V体硅N-LDMOS器件的研究
- 2008年
- 借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响。优化后该器件表面电场分布良好,通过I-V曲线可知,关态和开态耐压均超过500V,开启电压在1.65V左右,可以很好应用于各种高压功率集成芯片,具有很好的发展前景。
- 李栋良孙伟锋
- 关键词：场极板体硅
