刘延祥
- 作品数：43 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程一般工业技术更多>>
- CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
- 本文引入一种新的低毒化合物CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了表面钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多;且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与...
- 刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权郑燕兰
- 关键词：GAINASSB红外探测器
- 文献传递
- 一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用
- 本发明提供一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用，包括：S1：提供一种半导体单晶衬底，在该衬底表面制备出薄膜掩膜，并刻蚀出窗口阵列，露出窗口阵列内的半导体单晶衬底表面；S2：采用湿法技术腐蚀该半导体单晶衬底表面，形成微...
- 李铁何云乾刘延祥王跃林
- 文献传递
- 一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器
- 本申请提供一种红外光源的制备方法及一种红外气体传感器，该红外光源的制备方法包括以下步骤：制备加热器，加热器包括硅衬底、支撑膜和加热电阻层，支撑膜和加热电阻层依次沉积在硅衬底上；绝缘层沉积在加热电阻层上；制备辐射波长控制结...
- 李铁刘延祥王翊周宏王跃林
- 文献传递
- 一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法
- 本发明提供一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法，方法包括：提供一种半导体单晶衬底，在衬底表面制备出薄膜掩膜，刻蚀出窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备单层或复合薄膜，...
- 李铁何云乾刘延祥王跃林
- 文献传递
- 一种横式微型红外气体传感器
- 本申请提供一种横式微型红外气体传感器，包括：微型光学气室、红外光源、红外探测器、电源芯片和ASIC芯片和第一电路板；微型光学气室的光路为横式折叠反射结构，光路与第一电路板平行设置；微型光学气室包括光输入端和光输出端；红外...
- 李铁刘延祥王翊周宏
- 文献传递
- 一种夹层式片上集成微型红外气体传感器
- 本发明提供一种夹层式片上集成微型红外气体传感器，包括：微型功能盖，设有红外光源和透气孔；微型探测处理芯片，设有红外探测器、电源模块、信号处理模块和数字逻辑单元；以及夹设于这两者之间的微型光学结构，微型光学结构和微型功能盖...
- 李铁刘延祥冯立扬吴明王跃林
- 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性被引量：1
- 2005年
- 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 。
- 刘文超夏冠群李冰寒黄文奎刘延祥
- 关键词：GAAS欧姆接触钝化
- 基于正面结构的MEMS传感器
- 王跃林熊斌李铁徐德辉刘理天车录锋王东平王翊刘延祥周宏吴燕红戈肖鸿马颖蕾
- 该项目属MEMS（微机电系统）领域。针对中国MEMS传感器性价比不高，缺乏市场竞争力的状况，该发明想方设法使传感器的结构仅需正面加工，从而简化制造工艺，适合在集成电路工厂规模生产，大幅降低生产成本；此外，还可实现全硅结构...
- 关键词：
- 关键词：封装
- 基于粗糙介质薄膜的高性能MEMS红外光源研究
- 2024年
- 目前,工业领域对于气体监测的需求日益增长,在各种气体传感器中,红外传感器由于其高精度、高选择性的优势得到了广泛开发应用。红外光源是红外传感器中的关键元件,其发射率决定了传感器的性能,传统的发射率提高方法主要为制作表面微结构和添加高吸收率材料等。然而,这些方法会导致成本增加、制造复杂度提高。我们提出了一种新型MEMS红外光源,使用粗糙介质薄膜增强红外吸收并降低热传导来提高发射率。粗糙介质薄膜结构通过简单的硬模工艺制作,该方法成本低并与传统的红外光源制造兼容,制造的红外光源在2-20μm内可以达到99%以上的发射率。该红外光源的辐射区面积为1.4 mm×1.5 mm,在425℃的工作温度下功率密度为118 mW/mm^(2),且在15 Hz的工作频率下有全调制深度。这些结果表明,这种红外光源在红外气体传感器中的应用具有巨大潜力。
- 郭星辰王翊周宏刘延祥陆仲明李铁
- 关键词：微机电系统红外光源红外气体传感器
- GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及工艺的研究
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaSb及其四元化合物半导体GaInAsSb材料均为具有闪锌矿结构的直接带隙半导体材料，因此在制造发光二极管、激光二极管和光电探测器方面具有较大的应用潜力，故而引起了人们关注。GaInAsSb材料...
- 刘延祥
- 关键词：红外探测器欧姆接触增透膜半导体材料
- 文献传递
