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张兵

作品数:3 被引量:18H指数:2
供职机构:河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电池
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结太阳电...
  • 1篇有限元
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能级
  • 1篇热对流
  • 1篇活性剂
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇加热器
  • 1篇硅片
  • 1篇非晶硅
  • 1篇N型
  • 1篇CZSI
  • 1篇表面活性

机构

  • 3篇河北工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇北京太阳能研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 3篇张兵
  • 2篇任丙彦
  • 2篇郭贝
  • 2篇张燕
  • 2篇李洪源
  • 1篇李宁
  • 1篇任丽
  • 1篇褚世君
  • 1篇王文静
  • 1篇许颖
  • 1篇王平
  • 1篇王安平
  • 1篇李艳玲
  • 1篇罗晓英

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
N型单晶硅衬底上非晶硅/单晶硅异质结太阳电池计算机模拟被引量:9
2008年
采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当Dit>10^(12)cm^(-2)·eV^(-1)时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率降低。当在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内。模拟的a-Si-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%。
任丙彦张燕郭贝张兵李洪源许颖王文静
关键词:异质结太阳电池计算机模拟
太阳能级Si片清洗工艺分析被引量:7
2010年
在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10^(14)atoms/cm^2,Fe元素小于5×10^(13)atoms/cm^2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH^-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。
任丽王平李艳玲王安平褚世君张兵李宁罗晓英
关键词:硅片表面活性剂超声清洗
Φ200mm CZSi复合式热场的数值模拟研究被引量:2
2008年
对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延伸率、埚径比和熔体高度变化对直拉硅单晶生长中的温度梯度和热流密度分布的影响,为提高晶体生长速率和质量提供了必要的理论依据。
任丙彦李洪源张燕张兵郭贝
关键词:CZSI有限元热对流
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