刘静
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大气与真空下功率VDMOS散热特性研究被引量：3
- 2011年
- 针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。
- 丁凯凯冯士维郭春生刘静
- 关键词：热分析功率VDMOS真空可靠性热设计
