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王华勇
作品数:
4
被引量:5
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
许兴胜
中国科学院半导体研究所
高永浩
中国科学院半导体研究所
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渐变半径光子晶体发光二极管制备方法
一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法,包括:取一氮化镓基发光二极管外延片;在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层;在ITO层上淀积一层SiO<Sub>2</Sub>层,在SiO<Sub>2</Sub>层上制作掩膜板...
许兴胜
王华勇
高永浩
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渐变半径光子晶体发光二极管制备方法
一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法,包括:取一氮化镓基发光二极管外延片;在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层;在ITO层上淀积一层SiO<Sub>2</Sub>层,在SiO<Sub>2</Sub>层上制作掩膜板...
许兴胜
王华勇
高永浩
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光子晶体垂直腔面发射激光器的研究进展
被引量:5
2012年
单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低功耗、小发散角、高调制带宽和易于二维集成等优点,在光互连、光存储、高速激光打印和长波通讯等方向有着很好的应用前景。调节VCSEL顶部和底部反射层的结构可以很容易地实现单纵模条件,然而要实现横向单模输出,就要同时对出射光加以横向限制。在VCSEL的顶部反射层刻蚀出二维光子晶体结构构成的光子晶体VCSEL实现了稳定的单横模激光输出。介绍了光子晶体VCSEL的基本结构、工作原理、研究进展和应用领域,并探讨了如何使光子晶体VCSEL获得更高的出光功率、控制激光偏振特性和减小发散角等问题。最后评述了光子晶体VCSEL的国内研究现状,并对未来的研究做了展望。
王华勇
许兴胜
关键词:
激光器
光子晶体
垂直腔面发射激光器
单模
光子集成电路
光子晶体GaN LED与量子点的共振能量转移
<正>设计并研制了光子晶体结构GaN LED,实现了光子晶体GaN LED提取效率的提高及其到胶体量子点的共振能量转移,能量转移效率达到79.50%。设计了光子晶体GaN LED器件结构,利用光刻、感应耦合等离子体刻蚀等...
许兴胜
王华勇
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