王健
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金湖南省科技计划项目粉末冶金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 退火和氧化性酸处理对HFCVD法制备金刚石薄膜质量的影响被引量：2
- 2013年
- 以H2和CH4为反应气源,采用热丝化学气相沉积法（hot filament chemical vapor deposition,缩写HFCVD）,于不同温度下,在金属Mo表面上制备金刚石薄膜,并分别对薄膜进行退火和氧化性酸处理。采用场发射扫描电镜（FESEM）、拉曼光谱（Raman）及物相分析（XRD）,研究沉积温度与后处理工艺对薄膜质量和薄膜表面内应力的影响。结果表明,在700℃下沉积的薄膜晶型良好,晶粒尺寸大且均匀,平均粒径为0.5μm,薄膜中存在2.72 GPa的压应力;该薄膜在氢气气氛中退火后质量得到提升,金刚石的Raman特征峰强与石墨的Raman特征峰强的比值从2.780 0上升至4.451 6,薄膜中无定型碳和石墨成分的总含量（质量分数）下降37.6%;采用过氧化氢氧化处理后,薄膜中无定型碳和石墨的总含量（质量分数）下降26.8%,薄膜中69.0%~73.0%（质量分数）的trans-PA被氧化处理掉,热应力得到释放。
- 翟豪龙芬余志明王健
- 关键词：钼化学气相沉积
- 沉积参数对Mo-Re合金箔片上沉积金刚石薄膜的影响
- 采用热丝化学气相沉积法（HPCVD），以甲烷和氢气为反应气体，在Mo-Re合金箔片（d=6μm）上沉积金刚石薄膜。采用X射线衍射仪（XRD），扫描电子显微镜（SEM），显微激光拉曼光谱仪（Raman）分别对金刚石薄膜相组...
- 王健余志明吴晓斌刘倩
- 关键词：金刚石薄膜
- 沉积参数对Mo-Re合金基体上沉积金刚石薄膜的影响被引量：4
- 2011年
- 采用热丝化学气相沉积法(HFCVD),以甲烷和氢气为反应气体,在综合性能良好的Mo-40%Re(摩尔分数)合金基体上沉积金刚石薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和显微激光拉曼光谱仪(Raman)分别对金刚石薄膜相组成、表面形貌、晶粒大小和质量等进行检测分析,研究CVD沉积参数,如基体温度(θs)、碳源浓度(R,CH4的体积分数)和沉积压强(p),对金刚石形核、生长和金刚石成膜的影响。结果表明:在合适的基体预处理条件下,当θs=750℃,R=3%,p=3.5 kPa时,薄膜平均线生长速率高达1μm/h,得到的金刚石膜完整致密,晶粒大小均匀,纯度较高,具有明显的(111)织构。
- 王健余志明吴晓斌刘倩
- 关键词：金刚石薄膜RAMAN光谱阴极材料
- 铌掺杂氧化锡陶瓷的电阻负温度系数特性被引量：3
- 2009年
- 利用共沉淀方法合成了Nb掺杂SnO2材料,通过X射线衍射分析了材料的相组成,利用电阻-温度特性测试仪研究了材料的电阻温度特性,并利用半导体热力学理论分析了材料的NTC机理。结果表明,600℃煅烧能获得高纯的四方结晶相掺杂SnO2,粉体晶粒平均尺寸为10.5nm;Nb掺杂SnO2体现出良好的电阻负温度系数(NTC)效应,材料常数为3662K。
- 张鸿刘兰兰王健彭斌李志成
- 关键词：氧化锡掺杂导电性
- 铌基体上硼掺杂金刚石薄膜电极的制备、表征和电化学性能(英文)
- 2013年
- 采用热丝化学气相沉积法在铌基体上制备一系列硼掺杂金刚石薄膜电极,并通过扫描电子显微镜、激光拉曼光谱、X射线衍射、显微硬度和电化学分析等手段研究沉积所得样品中B/C比对薄膜的形貌、生长速率、化学键结构、物相组成和电化学性能的影响。结果表明:金刚石的平均晶粒尺寸和生长速率随着B/C比的增加而减小;金刚石薄膜在9.8N载荷下的维氏显微压痕测试中表现出优异的结合强度;相对于其他掺杂水平的样品,B/C比为2%的BDD电极具有更宽的电势窗口和更低的背景电流以及在H2SO4和KFe(CN)6溶液中更快的氧化还原反应速率。
- 余志明王健魏秋平孟令聪郝诗梦龙芬
- 关键词：金刚石薄膜热丝化学气相沉积硼掺杂电化学性能
