阮颖
- 作品数：28 被引量：24H指数：3
- 供职机构：上海电力学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项教育部科学技术研究重点项目上海市“科技创新行动计划”更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关
- 本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关，其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构，利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层，显著降低串扰和最小化寄生电容，更好地屏蔽衬底噪声，在开关两端得...
- 陈磊周进赖宗声马和良田亮黄爱波王超顾彬阮颖崔建明
- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
- 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
- 低电压高速CMOS全差分运算放大器设计被引量：4
- 2008年
- 设计了一种低压高速CMOS全差分运算放大器。该运放采用了折叠式共源共栅放大结构、连续时间共模反馈电路以及低压宽摆幅偏置电路,以实现在高稳定性下的高增益带宽、大输出摆幅。在Cadence环境下,基于TSMC 0.25μm CMOS标准工艺模型,对电路进行了spectre仿真。在2.5V电源电压下,驱动1pF负载时,开环增益71.6dB,单位增益带宽501MHz,功耗4.3mW。
- 阮颖
- 关键词：折叠共源共栅全差分共模反馈CMOS
- 一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器
- 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...
- 张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖
- 一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2
- 2009年
- 基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4～2.5GHz802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能。仿真结果表明:该电路在2.4GHz到2.5GHz频率范围内,增益(S21)达到25dB,噪声系数(NF)小于1.5dB,大幅度提高了收发机系统的性能。此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15dB,1dB压缩点大于-25dBm。电源电压为2.5V时电路总电流为3mA。
- 周进田亮陈磊阮颖赖宗声
- 关键词：低噪声放大器SIGEBICMOS
- 一种全差分E类功率放大器
- 本发明公开了一种全差分E类功率放大器，该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路，即差分输入对是Bipolar器件，交叉耦合对是NMOS管，采用两级结构，第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行...
- 陈磊田亮赖宗声马和良周进黄爱波王超顾彬阮颖崔建明
- 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器被引量：7
- 2010年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。
- 阮颖陈磊田亮周进赖宗声
- 关键词：射频功率放大器SIGEBICMOS
- 用于极低功耗微系统的全集成温度传感器
- 本发明涉及一种用于极低功耗微系统的全集成温度传感器，温度传感器依次由温度感应器、电压频率转换器以及数字频率转换器组成，温度感应器将外界温度的变化转化为输出电压的变化，并传递给电压频率转换器,电压频率转换器将温度感应器输出...
- 陈磊阮颖
- UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计被引量：1
- 2013年
- 设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.
- 阮颖张书霖
- 关键词：SIGEBICMOS工艺超高频阅读器
- 一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...
- 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖
