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文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电气工程

主题

  • 12篇电池
  • 7篇太阳能电池
  • 7篇晶体硅
  • 6篇太阳能
  • 6篇硅片
  • 5篇太阳电池
  • 5篇硅太阳电池
  • 4篇织构化
  • 4篇晶体硅太阳电...
  • 3篇电阻
  • 3篇晶体硅太阳能...
  • 3篇减反射膜
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  • 3篇硅太阳能电池
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅膜
  • 2篇镀膜
  • 2篇选择性发射极
  • 2篇印刷
  • 2篇印刷设备

机构

  • 15篇苏州阿特斯阳...
  • 1篇阿特斯(中国...

作者

  • 15篇辛国军
  • 10篇孟祥熙
  • 7篇张春华
  • 7篇周剑
  • 6篇章灵军
  • 5篇王栩生
  • 5篇李栋
  • 5篇高文丽
  • 4篇向宏伟
  • 3篇周军
  • 2篇龙维绪
  • 2篇蒋林
  • 2篇张凤
  • 2篇沈坚
  • 2篇朱娟娟
  • 2篇贺文慧
  • 1篇徐义胜
  • 1篇衡阳
  • 1篇周彬
  • 1篇张庭跃

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 10篇2013
  • 1篇2012
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种太阳能电池组件
本实用新型公开一种太阳能电池组件,包括若干太阳能电池片,所述太阳能电池片设有受光面和背光面,所述受光面上设有正面主栅线电极及与正面主栅线电极连接的正面细栅线电极,所述背光面上设置有背面主栅线电极,所述正面主栅线电极的数量...
章灵军王栩生辛国军张凤龙维绪沈坚刘徳志蒋林
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一种太阳能电池绒面的制备装置
本实用新型公开了一种太阳能电池绒面的制备装置,包括一密封箱体,所述箱体的顶部设有抽风口,其底部设有排液口,箱体内平行设有上承载机构和下承载机构;所述箱体的侧面相对于上承载机构和下承载机构的位置分别设有上密封盖板和下密封盖...
周军姜小松党继东孟祥熙辛国军
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一种晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散制结、边缘刻蚀;(2)在上述硅片的受光面或双面形成一层二氧化硅介质膜,其厚度为1.0~10nm;(3)镀减反膜、丝网印刷、烧结...
王栩生张春华周剑辛国军章灵军
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一种晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)将硅片进行表面清洗及织构化、扩散制结、边缘刻蚀;(2)在上述硅片的受光面或双面形成一层二氧化硅介质膜,其厚度为1.0~10nm;(3)镀减反膜、丝网印刷、烧结...
王栩生张春华周剑辛国军章灵军
一种用于测量石英管长度的治具
本实用新型公开了一种用于测量石英管长度的治具,包括一柱状本体,柱状本体内设有一凹槽,凹槽的两端形成挡板,所述凹槽的主轴与柱状本体的主轴相平行;所述挡板与凹槽主轴相垂直;所述凹槽的长度比待测石英管的长度长0.5~2mm。本...
张春华周剑向宏伟李栋高文丽孟祥熙辛国军章灵军
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石墨框
本实用新型公开了一种石墨框,包括石墨框本体,石墨框本体内设有复数条横竖交错的承载板,构成复数个石墨框网格;所述石墨框的上下两侧边缘处设有石墨固定板,所述石墨固定板的底部相对于石墨框网格的位置设有凹槽,使凹槽底面与石墨框承...
张春华高文丽周剑李栋孟祥熙辛国军
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多步扩散制备太阳电池pn结工艺的研究被引量:4
2015年
在制备晶体硅太阳电池pn结的扩散工序中,工艺设计对硅片中磷浓度的分布起重要作用进而会影响电池电性能,通过实验研究,优化得出多步扩散工艺。结果显示,采用多步扩散方法可减少死层、增加电活性磷掺杂量,并能通过适当调整第二次恒定源扩散工艺参数实现对填充因子的独立控制。与常规的两步扩散工艺相比,新工艺制备的太阳电池开路电压Voc升高6 m V,填充因子FF得到明显改善,光电转换效率Eff有0.4%的绝对提升,使组件输出效率CTM相应提高0.97%。
贾洁静党继东辛国军徐义胜王永伟费正洪孟祥熙王栩生章灵军
关键词:硅太阳电池PN结
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法
本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法,包括如下步骤:(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗...
张春华周剑李栋向宏伟高文丽孟祥熙辛国军
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一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法,包括如下步骤:(1)将待处理的硅片经酸液或碱液腐蚀,在硅片表面形成微米级的绒面结构;(2)将步骤(1)得到的硅片进行气体腐蚀,在所述微米级的绒面结构上进一步形成纳米级...
周军姜小松贺文慧朱娟娟党继东孟祥熙辛国军
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一种用于硅片镀膜的承载装置
本实用新型公开了一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板本体,石墨碳板本体上设有至少一个承载槽,所述承载槽内设有内承载槽,内承载槽的面积小于所述承载槽。本实用新型设计得到了一种新的用于硅片镀膜的承载装置,通过在现有的承载...
张春华周剑向宏伟李栋高文丽孟祥熙辛国军
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共2页<12>
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