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岑伟

作品数:21 被引量:22H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
发文基金:重庆市科委基金更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 4篇标准
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 15篇晶体
  • 12篇闪烁晶体
  • 9篇提拉法
  • 9篇
  • 6篇硅酸钇
  • 5篇铈掺杂
  • 5篇掺杂
  • 5篇掺铈
  • 4篇视觉
  • 4篇无色
  • 4篇晶体生长
  • 4篇CE
  • 3篇氧化物
  • 3篇提拉法晶体生...
  • 3篇无机
  • 3篇无机氧化物
  • 2篇性能研究
  • 2篇氢气
  • 2篇氢气含量
  • 2篇铈离子

机构

  • 21篇中国电子科技...

作者

  • 21篇岑伟
  • 14篇王佳
  • 9篇李和新
  • 7篇石自彬
  • 7篇丁雨憧
  • 5篇付昌禄
  • 4篇龙勇
  • 4篇徐扬
  • 4篇胡少勤
  • 4篇张俊
  • 3篇陈川贵
  • 3篇周益民
  • 3篇李德辉
  • 3篇何晔
  • 3篇欧阳廷
  • 2篇冯大建
  • 2篇胡吉海
  • 1篇蒋春健
  • 1篇夏卫东
  • 1篇刘军

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2006
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Φ100 mm级Ca∶Ce∶LYSO闪烁晶体生长及闪烁性能研究被引量:2
2021年
为了满足具有飞行时间技术特点的正电子发射断层扫描仪(TOF-PET)对光输出高、衰减时间短以及上升时间快的Ce∶LYSO闪烁晶体的需要,本文采用中频感应提拉法生长Φ100 mm×100 mm级Ca∶Ce∶LYSO闪烁晶体。晶体整体无色透明、无包裹体。经过紫外可见分光光度计测试,晶体透过率接近理论值,质量较好。将晶体切割研磨抛光后,分别进行脉冲高度谱、衰减时间能谱等测试。在137Cs放射源激发下,Ca∶Ce∶LYSO晶体的光输出达到33962 ph/MeV,能量分辨率为8.6%,衰减时间达到36.70 ns,均优于Ce∶LYSO晶体。通过对晶体轴向及尾部径向取样,相对光输出和能量分辨率不均匀性分别为±2.4%、±9.4%及±1.18%、±6.8%,证明晶体具有较好的均匀性。
王佳岑伟丁雨憧王强张泽涛
关键词:闪烁晶体提拉法
掺铈无机氧化物闪烁晶体规范
本规范适用于Ce:LYSO、Ce:LSO、Ce:YSO、CeLuYAP和Ce:GAGG等掺铈无机氧化物闪烁晶体(以下简称晶体)。
王佳胡吉海岑伟张俊罗夏林唐光庆李德辉夏卫东
一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
本发明公开了一种在中性气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法,是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在中性的气氛下加热一段时间,使铈掺杂硅酸钇镥晶体中的氧扩散出来以将Ce<Sup>4+</Sup>变为C...
岑伟李和新王佳
文献传递
65mm级Ce:YSO闪烁晶体研制与闪烁性能研究被引量:3
2016年
采用中频感应提拉法生长了尺寸为65mm×200mm的Ce:YSO闪烁晶体。通过生长不同掺杂浓度的Ce:YSO晶体,并根据相应的测试结果确定了合适的掺杂比例,进一步研究不同工艺参数对晶体发光均匀性的影响。实验结果表明,当铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度为0.10%、结晶分数为60%时,晶体发光强度及发光均匀性最佳,调整工艺参数有利于降低晶体发光不均匀性,但降低效果有限。此外,测试了晶体的脉冲高度谱和脉冲形状谱,Ce:YSO晶体的能量分辨率为7.20%@662keV,衰减时间约为52ns,发光余辉时间为156ns。
王佳岑伟徐扬李德辉胡少勤付昌禄丁雨憧龙勇
关键词:提拉法
一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法
本发明属于晶体生长技术领域,为一种稳定提拉法晶体生长界面的控制装置和方法;方法包括实时测量晶体生长的重量,将测量的晶体重量与其理论重量作差,根据两者的差值采用PID控制算法控制晶体生长所需的加热功率;实时测量料棒的重量,...
何晔周益民岑伟陈川贵
文献传递
一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法
本发明公开了一种在还原气氛下将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体转为无色的方法,是将视觉上呈现黄色的铈掺杂硅酸钇镥晶体在含氢的气氛下加热一段时间,将Ce<Sup>4+</Sup>还原为Ce<Sup>3+</Sup>,使晶...
岑伟李和新王佳
文献传递
一种Al、Ga/Ce共掺硅酸钇镥闪烁晶体材料及退火方法
本发明公开了一种Al、Ga/Ce共掺硅酸钇镥闪烁晶体材料及退火方法,闪烁晶体材料的化学通式为:(Me<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y</Sub>Lu<Sub>z</Sub>Y<Sub>1‑x‑y‑z</Sub>)...
丁雨憧岑伟屈菁菁王强
一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法
本发明公开了一种铈掺杂铝酸钇镥闪烁晶体光输出增强方法,包括如下步骤:1)将若干待处理的LuYAP晶体置于加热炉中,2)先将炉内温度从室温下加热到500℃,然后再加热到保温温度1000‑1600℃;3)在保温温度下保温2h...
石自彬岑伟李和新徐扬龙勇
文献传递
高发光均匀性Ce:LSO闪烁晶体的研制被引量:7
2016年
采用提拉法生长了尺寸为φ65mm×200mm的Ce:LSO闪烁晶体,在研究高发光均匀性机理的基础上,利用正交试验生长不同铈掺杂浓度、二氧化硅补偿浓度及结晶率的Ce:LSO晶体。结合晶体头尾相对发光强度、发光不均匀性等测试结果,确定了合适的原料配比和结晶率等相关参数,即铈离子掺杂浓度为0.16%、二氧化硅补偿浓度0.20%、结晶分数60%。通过以上研究结果表明,该尺寸晶体的发光均匀性超过96%。
王佳岑伟徐扬胡少勤石自彬付昌禄
关键词:提拉法正交试验
高镥组分LuYAP:Ce闪烁晶体生长及性能研究被引量:1
2016年
LuYAP:Ce晶体是YAP和LuAP的固溶体,具有衰减时间短,光产额高,密度高,有效原子序数大及不潮解等特性。随着镥组分含量的增加,晶体密度和有效原子序数随之增加,衰减时间更短。采用提拉法生长了φ35mm×100mm的高镥组分LuYAP:Ce闪烁晶体,晶体透明,无相分解现象。通过X线荧光光谱分析法(XRF)检测了晶体中的元素含量,测得Lu、Y摩尔比接近7∶3。另外还测试了该晶体退火处理前后的光输出变化,光输出性能提高了约16%。
石自彬岑伟徐扬李和新李德辉王佳
关键词:提拉法
共3页<123>
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