黄承焕
- 作品数：32 被引量：77H指数：4
- 供职机构：长沙矿冶研究院有限责任公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省科技攻关计划湖南省优秀博士论文基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>
- 固相合成In_2O_3纳米晶及动力学的研究被引量：3
- 2004年
- 以InCl3·4H2 O和NaOH为原料 ,利用固相反应合成前驱体 ,再经焙烧合成In2 O3纳米晶。用X射线衍射 (XRD)分析了不同焙烧温度对合成In2 O3晶粒尺寸的影响。研究结果表明 :按Scherrer公式估算合成In2 O3纳米晶的晶粒尺寸在 2 0～ 3 0nm ,焙烧温度越高 ,晶粒尺寸越大 ;根据前驱体不同升温速率下的差热 (DTA)曲线 ,用Kissinger和Ozawa法计算了合成In2 O3纳米晶的活化能分别为 167.0 3和 176.0 6kJ·mol- 1 ,差别不大 ;根据晶粒生长动力学理论计算In2 O3晶粒长大的活化能为 2 .82kJ·mol- 1 ,表明热处理过程In2 O3纳米晶粒的长大主要以界面扩散为主。
- 张向超杨华明黄承焕杨武国
- 关键词：纳米晶固相合成动力学活化能
- 一种球形中空氧化铈改性的锂硫电池隔膜及其制备方法以及具有该隔膜的锂硫电池
- 本发明公开了一种球形中空氧化铈改性的锂硫电池隔膜及其制备方法，该改性隔膜包括隔膜本体，所述隔膜本体的一侧涂布有改性涂层，所述改性涂层中包含有球形中空氧化铈、导电剂和粘合剂，该改性隔膜可有效阻止多硫化物的穿梭。本发明还公开...
- 钱昕晔沈湘黔赵迪杨晓龙王善文习小明周友元廖达前黄承焕姚山山
- 复合掺杂二氧化锡纳米晶材料的制备方法
- 复合掺杂二氧化锡纳米晶材料的制备方法。本发明采用机械化学反应法，采用分析纯SnCl<Sub>2</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O、掺杂金属氯化物、Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>为原料，...
- 杨华明敖伟琴唐爱东张向超杨武国黄承焕
- 文献传递
- NiFe_2O_4纳米晶的合成及焙烧动力学被引量：9
- 2004年
- 以α Fe2O3和NiO粉体为原料,NaCl为稀释剂,利用固相机械化学反应,在高能球磨作用下合成了NiFe2O4纳米晶。采用X射线衍射分析了合成NiFe2O4的过程和不同焙烧温度对晶粒尺寸的影响,计算了前驱体热处理过程晶粒长大的活化能。研究结果表明:制备的NiFe2O4纳米晶的晶粒尺寸为20～30nm;焙烧温度越高,晶粒尺寸越大;NiFe2O4晶粒长大的表观活化能为16.7kJ/mol,这表明热处理过程的晶粒长大主要以界面扩散为主。
- 杨华明张向超杨武国黄承焕邱冠周
- 关键词：机械化学NIFE2O4纳米晶焙烧活化能
- 纳米材料组装的研究进展被引量：9
- 2004年
- 介绍了纳米材料组装体系的种类和特点,以及分子组装技术的发展过程和研究现状。重点阐述了介孔材料组装精细单质、硫化物、氧化物和复合纳米颗粒的相关技术和功能化特性.总结了纳米材料组装体系的表征方法,探讨了纳米材料自组装和他组装的机理,并展望了该领域的发展前景。
- 杨华明杜春芳杨武国黄承焕张向超
- 关键词：纳米材料分子组装介孔组装自组装
- 一种纳米棒多孔碳-硫复合正极材料及其制备方法、锂硫电池
- 一种纳米棒多孔碳‑硫复合正极材料的制备方法，包括以下步骤：将六水合硝酸锌溶液与 4,4'‑联苯二甲酸二钠盐在常温下进行混合搅拌，然后经离心洗涤、干燥后得到锌基金属有机框架前驱体；将前驱体在惰性气体气氛下进行煅烧，将得到的...
- 钱昕晔靳黎娜沈湘黔赵迪杨晓龙王善文习小明周友元廖达前黄承焕姚山山
- 石墨烯/金属氧化物锂离子电池负极材料的研究进展被引量：2
- 2014年
- 石墨烯作为锂离子电池负极材料时,比克容量是石墨的两倍,但是纯石墨烯因其在充放电过程中团聚,导电循环性能差.为了延长石墨烯的循环寿命,一种有效的方法是在石墨烯中加入过渡金属氧化物（CoOx,CuOx,NiOx,FeOx和MnOx等）.这些过渡金属氧化物比克容量高（700～1000 mAh/g）,但是在充放电过程中发生体积膨胀,导致其循环性能差.过渡金属氧化物与石墨烯复合后,能够弥补彼此的缺点,具有优异的电化学性能.综述了石墨烯/过渡金属氧化物复合物在锂离子电池负极材料上的应用,并研究了石墨烯加入后对复合材料的性能提升的原因.
- 黄承焕涂飞跃覃事彪周有元
- 关键词：石墨烯锂离子电池负极材料过渡金属氧化物
- 微波合成CdS纳米颗粒的光致发光和光催化性能被引量：1
- 2004年
- 本文用微波液相法成功合成分散均匀的纳米 CdS 颗粒,并采用 XRD 和 TEM 技术分别表征产品结构和形貌。作为光致发光(PL)材料,样品在300nm 波长激发下,出现波峰位于在602nm 的发射光谱。首次提出由于 CdS 半导体材料表面发生光腐蚀,即 Cd^(2+)离子吸收电子后,还原为单质Cd,并沉积在 CdS 固体表面,从而阻止光催化反应继续进行的新观点。
- 杨华明黄承焕史蓉蓉张科
- 关键词：半导体微波合成光致发光光催化
- 富锂锰基正极材料的改性方法
- 本发明公开了一种富锂锰基正极材料的改性方法，由以下步骤组成：准备富锂锰基正极材料的前驱体，将前驱体、碳酸锂和掺杂改性金属氟盐充分混合均匀，将混合均匀后的混合料进行高温烧结，得到改性后的富锂锰基正极材料。本发明的改性过程简...
- 庞胜利沈湘黔王永刚习小明景茂祥周友元廖达前黄承焕
- 文献传递
- NASICON型钠/锂离子固体导体的制备和表征
- 采用固相法合成NaReSiO(Re=Nd,Sm,Gd)钠离子导体。分析纯的NaCO,ReO(Re=Nd,Sm,Gd)和SiO原料按一定剂量比混合,经过96h湿法球磨之后,干燥。在840℃,900℃和980℃分别进行煅烧,...
- 黄承焕黄可龙
- 文献传递
