刘永强
- 作品数：19 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家部委预研基金超高速专用集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 3mm单平衡混频器芯片被引量：5
- 2015年
- 为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用In P高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片。该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对（APDP）和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计。最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82-100 GHz,变频损耗小于9 d B,本振（LO）-射频（RF）隔离度大于20 d B,中频带宽为0.1-18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm。
- 赵宇刘永强魏洪涛
- 关键词：磷化铟MM单平衡混频器肖特基二极管
- 一种射频功率放大器
- 本发明提供一种射频功率放大器，包括功率放大模块和转换模块，功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口，用于对接收到的射频信号进行功率放大；当射频功率放大器处于信号发射状态时，转换模块用于控制第一晶体管处于共源极工作，...
- 宋旭波吕元杰梁士雄陈长友刘永强张立森敦少博冯志红
- 文献传递
- 宽带W波段低噪声放大器的设计与制作被引量：1
- 2009年
- 基于未来低功耗毫米波接收前端的应用,采用InP HEMT工艺实现了一种W波段宽带低噪声放大器。该放大器采用边缘耦合线用于级间的隔离,扇形短截线用于RF旁路,偏置网络采用薄膜电阻和扇形短截线以保持放大器的稳定性。采用3mm噪声测试系统对单片进行在片测试,测试结果显示在80～102GHz,噪声系数小于5dB,相关增益大于19dB。五级电路的栅、漏分别连在一起方便使用,芯片面积3.6mm×1.7mm,功耗30mW。
- 刘永强曾志刘如青韩丽华栾鹏蔡树军
- 关键词：磷化铟高电子迁移率晶体管低噪声放大器W波段毫米波接收机
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
- 方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
- 文献传递
- 31～38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片
- 2019年
- 为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31～38GHz宽带范围内,线性增益为26～29dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32～35 GHz内最高效率达45%。
- 韩芹刘永强刘会东魏洪涛
- 关键词：功率放大器砷化镓宽带单片集成电路
- 超低功耗Q波段低噪声放大器芯片的设计和实现
- 2018年
- 采用GaAs赝配HEMT单片微波集成电路（MMIC）工艺和堆栈偏置技术设计实现了一款Q波段低噪声放大器（LNA）芯片。该放大器采用4级级联的堆栈偏置拓扑结构,前两级电路在确保较低输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声系数,后两级电路则采用最大增益的匹配方式,确保放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。该LNA芯片最终尺寸为3250μm×1500μm,实测结果表明在40～46 GHz工作频率内放大器工作稳定,小信号增益大于23 dB,噪声系数小于3.0 dB,在4.5 V工作电压下消耗电流约6 mA。此外,在片实测结果和设计结果符合良好。
- 方园叶显武吴洪江刘永强
- 关键词：超低功耗Q波段
- 一款130～140 GHz MMIC低噪声放大器被引量：5
- 2017年
- 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3 V的工作条件下,该放大器在130~140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2∶1,输出电压驻波比小于3∶1。芯片面积为1.70 mm×1.10 mm。该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中。
- 王雨桐吴洪江刘永强
- 关键词：磷化铟
- 90nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用被引量：2
- 2015年
- 采用PMMA/P（MMA-MAA）/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题。开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术。应用90 nmT型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段Ga As PHEMT低噪声放大器。测试结果表明,在频率为90~96 GHz、源漏电压5 V、栅源电压-0.3 V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8 dB;在频率为57~64 GHz、源漏电压2.5 V、漏极电流55 m A时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性。
- 孙希国刘如青刘永强崔玉兴付兴昌
- 关键词：T型栅电子束直写GAASPHEMT
- 低噪声放大器
- 本发明公开了一种低噪声放大器，涉及太赫兹电路技术领域，包括放大电路、输入电路、输出电路、输入偏置电路、输出偏置电路和RC并联电路；输入电路的输出端分别连接放大电路的输入端和输入偏置电路的一端，输入偏置电路的另一端连接Vg...
- 王雨桐刘永强刘如青
- 文献传递
- 收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统
- 本发明提供一种收发一体多功能芯片、TR组件和有源相控阵天线系统。该芯片包括：极化开关模块、天线端通道选择模块、接收通道低噪声放大器模块、发射通道功率放大器模块以及驱动端通道选择模块；极化开关模块的第一端用于连接水平极化天...
- 韩芹许春良刘会东崔璐李远鹏刘永强王晓阳李明
